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| 起源の場所 | 呼出し |
| ブランド名 | onsemi |
| 証明 | ROHS |
| モデル番号 | FOD3120 |
プロダクト細部
FOD3120はほとんどを運転することができる2.5A出力電流のゲート ドライブ オプトカプラー1200V/20A IGBT/MOSFETである。それは運動制御インバーター塗布で使用される力IGBTおよびMOSFETsの速い切換えの運転および高性能のパワー系統に理想的に適する。
それはonsemiの同一平面上の実装技術、OPTOPLANAR®および高い共通モード拒絶によって特徴付けられる高いノイズ耐性を達成するのに最大限に活用されたICの設計を利用する。
それは光学的にpush−pull MOSFETの出力段階のためのhigh−speed運転者が付いている集積回路につながれるガリウム アルミニウム ヒ化物（AlGaAs）の発光ダイオードから成っている。
■高いノイズ耐性は35kV/µs最低の共通モード拒絶によって特徴付けた
■2.5Aピーク出力のほとんどの1200V/20A IGBTのための現在の駆動機構
■出力段階のP-channelのMOSFETsの使用は供給の柵の近くの出力電圧振動を可能にする
■15Vからの30Vへの広い供給電圧の範囲
■速い切り替え速度
–最高400ns。伝搬遅延
–最高100ns。脈拍幅のゆがみ
■ヒステリシスを用いる電圧閉鎖（UVLO）の下
■拡張された産業穏健な範囲、100°C温度較差への-40°C
■安全および規定する公認
– UL1577、5000 VRMSfor 1 min。
– IEC60747-5-2
■1Ω （タイプ。）のRDSは（）低い電力の消滅を提供する
■>8.0mmの整理および表面漏れ間隔（選択『T』か『TS』）
■1,414Vピークの働く絶縁材の電圧（VIORM）
■産業インバーター
■無停電電源装置
■誘導加熱
■隔離されたIGBT/Power MOSFETのゲート ドライブ
指定
| 属性 | 属性値 |
|---|---|
| 製造業者 | onsemi |
| 製品カテゴリ | アイソレーター-運転者をゲートで制御しなさい |
| シリーズ | - |
| タイプ | 緩衝 |
| 包装 | 管 |
| 単位重量 | 0.031429 oz |
| パッケージ場合 | 8-DIP （0.300"、7.62mm） |
| 技術 | 光学カップリング |
| 作動温度 | -40°C | 100°C |
| 土台タイプ | 穴を通して |
| 出力タイプ | プッシュ プル |
| 数のチャネル | 1つのチャネル |
| 電圧供給 | 15ボルト| 30ボルト |
| 製造者装置パッケージ | 8-DIP |
| 現在出力高低い | 2A、2A |
| 現在ピーク出力 | 3A |
| 現在DC前方最高 | 25mA |
| 電圧分離 | 5000Vrms |
| 承認 | UL |
| Vf | 1.5V |
| 上昇落下時間Typ | 60ns、60ns |
| 共通モード一時的免除分 | 35kV/μs |
| 伝播遅れtpLH tpHL最高 | 400ns、400ns |
| 脈拍幅 | 100ns |
| Pd力消滅 | 250 MW |
| 最高使用可能温度 | + 100 C |
| 実用温度範囲 | - 40 C |
| Vf前方電圧 | 1.5 V |
| 分離電圧 | 5000 Vrms |
| 落下時間 | 60 ns |
| 立上り時間 | 60 ns |
| Vr逆電圧 | 5ボルト |
| 前方現在 | 16 mA |
| パッケージ場合 | DIP-8 |
| 伝播遅れ最高 | 400 ns |
| 最高連続的出力現在 | 2.5 A |
形態、パッケージ、機能多用性がある部品
記述
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