プロダクト細部
ILD/Q621およびILD/Q621GBはGaAs IRLEDのエミッターおよび高利得NPNのケイ素のフォトトランジスターを使用する多重チャンネルのフォトトランジスター オプトカプラーである。これらの装置はleadframeの光学カップリングおよび二重形成された絶縁材の技術の下のを使用して/組み立てられる。この組立工程は7500 VDCの抵抗テスト電圧を提供する。
•TLP621-2/-4およびTLP621GB-2/-4への互い違いの源
•IF=の現在の移動比率(CTR) 5 mA
ILD/Q621:50% Min。
ILD/Q621GB:100% Min。
•IF=1 mAの飽和させた現在の移動比率(CTRSAT)
ILD/Q621:60%のタイプ。
ILD/Q621GB:30% Min。
•高いCollector-Emitter電圧、BVCEO=70 V
•二重およびクォードのパッケージの特徴:
- 減らされた板スペース
- Pinを下げれば部品は数える
- チャネル間CTRのマッチをよくしなさい
- 改善された共通モード拒絶
•トリオ(透明なイオン盾)によるField-Effectの馬小屋
•二重形成されたパッケージ、5300 VACRMSからの分離テスト電圧
•保険業者の実験室ファイル#E52744
•選択1と利用できるVDE 0884
指定
属性 | 属性値 |
---|---|
製造業者 | Vishayの半導体のOpto部 |
製品カテゴリ | トランジスター出力オプトカプラー |
シリーズ | - |
包装 | 管 |
パッケージ場合 | 8-DIP (0.300"、7.62mm) |
入力タイプ | DC |
作動温度 | -55°C | 100°C |
土台タイプ | 穴を通して |
出力タイプ | トランジスター |
数のチャネル | 2つのチャネル |
製造者装置パッケージ | 8-DIP |
構成 | 2チャネル |
定格出力の流れ | 50mA |
電圧出力最高 | 70V |
現在DC前方最高 | 60mA |
電圧分離 | 5300Vrms |
Vf | 1.15V |
現在の移動比率 | 50% @ 5mA |
現在移動比率最高 | 600% @ 5mA |
時間を消しなさい | 3μs、2.3μs |
上昇落下時間Typ | 2μs、2μs |
Vceの飽和 | 400mV |
Pd力消滅 | 400 MW |
最高使用可能温度 | + 100 C |
実用温度範囲 | - 55 C |
Vf前方電圧 | 1.3 V |
分離電圧 | 5300 Vrms |
Vr逆電圧 | 6ボルト |
前方現在 | 60 mA |
パッケージ場合 | DIP-8 |
現在移動比率 | 600% |
最高コレクター現在 | 100 mA |
最高コレクター エミッター電圧 | 70ボルト |
最高コレクター エミッター飽和電圧 | 0.4ボルト |
形態、パッケージ、機能多用性がある部品
記述
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