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PE T/R du transistor MOSFET N-CH 40V 34A 8-Pin DFN de transport des transistors AON6884
  • PE T/R du transistor MOSFET N-CH 40V 34A 8-Pin DFN de transport des transistors AON6884

PE T/R du transistor MOSFET N-CH 40V 34A 8-Pin DFN de transport des transistors AON6884

Lieu d'origine Appel
Nom de marque Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Certification ROHS
Numéro de modèle AON6884
Détails du produit
Nom de produit:
AON6884
Condition:
Original 100%
Methodpe d'installation:
Bâti -55°C | 150°C (TJ) 8-PowerSMD, avances plates 1.6W 40V de surface de N-canal du transistor MOSF
Paquet:
8-PowerSMD, avances plates
Tension - approvisionnement:
Norme internationale
Max. Reverse Current:
Norme internationale
Application:
FETs - rangées
Description de produit

                                                                  PE T/R du transistor MOSFET N-CH 40V 34A 8-Pin DFN de transport des transistors AON6884 0Fiche technique AON6884
Détails de produit

Description générale

• La dernière technologie d'AlphaMOS de puissance de fossé (αMOS BT)
• Le bas RDS même (dessus) à 4.5VGS
• Basse charge de porte
• Capacité à forte intensité
• RoHS et conforme sans halogène

Résumé de produit

VDS 30V
Identification (à VGS=10V) 85A
Le RDS (DESSUS) (à VGS=10V) < 2="">
Le RDS (DESSUS) (à VGS= 4.5V) < 3="">
100% UIS examiné
Rg 100% examiné

Application

• Convertisseurs de DC/DC dans le calcul, les serveurs, et le POL
• Convertisseurs de DC/DC dans les télécom et industriel d'isolement

Caractéristiques

               
Attribut Valeur d'attribut
Fabricant Alpha et Omega Semiconductor Inc.
Catégorie de produit FETs - rangées
Série -
EmballageBande et bobine (TR)
Paquet-cas 8-PowerSMD, avances plates
L'Actionner-température-55°C | 150°C (TJ)
De type support Bâti extérieur
Fournisseur-Dispositif-paquet 8-DFN (5x6)
De type FET N-canal 2 (double)
Puissance-maximum1.6W
VDSS – tension de Drain-source40V
Capacité d'entrée1950pF @ 20V
FET-caractéristiquePorte de niveau de logique
Current-Continuous-Drain-Id-25°C9A
RDS-Sur-Maximum-identification-Vgs mOhm 11,3 @ 10A, 10V
Vgs-Th-Maximum-identification2.7V @ 250μA
Porte-charge-Qg-Vgs 33nC @ 10V
 

Descriptions

Bâti extérieur 8-DFN (5x6) du N-canal de la rangée 2 de transistor MOSFET (double) 40V 9A 1.6W
PE T/R du transistor MOSFET N-CH 40V 34A 8-Pin DFN de transport

 

Qui sommes-nous ?
est une société professionnelle de commercialisation entièrement occupée dans les champs des semi-conducteurs et des composants électroniques vente et le service pour des clients sur 10 ans, se spécialise en vendant le nouveau et l'usine inutilisée et originale du joint les composants électroniques de garniture. spécialisez-vous dans IC, diode, le transistor, IGBT, *** de convertisseur de DC-DC ..... a installé notre propre conception de service de ventes et a déjà établi des associations fortes avec beaucoup de fabricants célèbres et nous avons plus de 5 000 000 genres de composants électroniques pour vos choix, toujours à vos services !
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: Nous sommes fabricant original OF Integrated Circuit Chip. Nous pouvons faire des affaires d'OEM/ODM.
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: Vous pouvez acheter les produits de notre société directement. Normalement la procédure est signe le contrat, paiement par T/T, contactent la compagnie maritime à la livraison les marchandises à votre pays.
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: La garantie libre est à un an du jour de la commission qualifié. S'il y a n'importe quel défaut pour nos produits au cours de la période libre de garantie, nous le réparerons et changerons l'ensemble de défaut pour libre.

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