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AON6884トランジスターTRANS MOSFET N-CH 40V 34A 8 Pin DFN EP T/R
  • AON6884トランジスターTRANS MOSFET N-CH 40V 34A 8 Pin DFN EP T/R

AON6884トランジスターTRANS MOSFET N-CH 40V 34A 8 Pin DFN EP T/R

起源の場所 呼出し
ブランド名 Alpha & Omega Semiconductor Inc.
証明 ROHS
モデル番号 AON6884
製品詳細
製品名:
AON6884
条件:
原物100%
設置methodpe:
MOSFET 9A 2のN-Channelの(二重)表面の台紙-55°C | 150°C (TJ) 8-PowerSMDの平らな鉛1.6W 40V
パッケージ:
8-PowerSMDの平らな鉛
電圧-供給:
国際規格
最高。逆の流れ:
国際規格
適用:
FETs -配列
製品の説明

                                                                  AON6884トランジスターTRANS MOSFET N-CH 40V 34A 8 Pin DFN EP T/R 0AON6884データ用紙
プロダクト細部

概説

•堀力のAlphaMOS最も最近の(αMOS LV)の技術
•4.5VGSのまさに低いRDS ()
•低いゲート充満
•高い現在の機能
•RoHSおよびハロゲンなしの迎合的

プロダクト概要

VDS 30V
ID (VGS=10Vで) 85A
RDS () (VGS=10Vで) < 2="">
RDS () (VGS= 4.5Vで) < 3="">
テストされる100% UIS
テストされる100%のRg

適用

•計算、サーバーおよびポールのDC/DCのコンバーター
•電気通信の隔離されたDC/DCのコンバーターおよび産業

指定

               
属性 属性値
製造業者 Alpha & Omega Semiconductor Inc。
製品カテゴリ FETs -配列
シリーズ -
包装テープ及び巻き枠(TR)
パッケージ場合 8-PowerSMDの平らな鉛
作動温度-55°C | 150°C (TJ)
土台タイプ 表面の台紙
製造者装置パッケージ 8-DFN (5x6)
FETタイプ 2 N-Channel (二重)
パワー最高1.6W
VDSS –下水管源の電圧40V
入れられたキャパシタンス1950pF @ 20V
FET特徴論理のレベルのゲート
現在連続的下水管ID25°C9A
Rds最高IDVgs 11.3のmOhm @ 10A、10V
Vgs Th最高ID2.7V @ 250μA
ゲート充満Qg Vgs 33nC @ 10V
 

記述

Mosfetの配列2のN-Channel (二重) 40V 9A 1.6Wの表面の台紙8-DFN (5x6)
TRANS MOSFET N-CH 40V 34A 8 Pin DFN EP T/R

 

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