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| Lieu d'origine | Appel |
| Nom de marque | Infineon |
| Certification | ROHS |
| Numéro de modèle | IPD90P04P4L-04 |
Fiche technique IPD90P04P4L-04
Détails de produit
IPD90P04P4L-04 est un puissance-transistor OptiMOS®-P2.
• P-canal - niveau de logique - mode d'amélioration
• L'AEC a qualifié
• MSL1 jusqu'au ré-écoulement de la crête 260°C
• température de fonctionnement 175°C
• Paquet vert (RoHS conforme)
• L'avalanche 100% a examiné
Caractéristiques
| Attribut | Valeur d'attribut |
|---|---|
| Fabricant | Infineon |
| Catégorie de produit | Transistors - FETs, transistors MOSFET - simples |
| Série | OptiMOS-P2 |
| Emballage | Bobine |
| Partie-noms d'emprunt | IPD90P04P4L04ATMA1 IPD90P04P4L04XT SP000840194 |
| Unité-poids | 0,139332 onces |
| De style du support | SMD/SMT |
| Nom commercial | OptiMOS |
| Paquet-cas | TO-252-3 |
| Technologie | SI |
| Nombre-de-canaux | La 1 Manche |
| De type transistor | 1 P-canal |
| Palladium-Puissance-dissipation | 125 W |
| Température de fonctionnement maximum | + 175 C |
| Gamme de température de fonctionnement | - 55 C |
| Chute fois | 60 NS |
| Temps de montée | 20 NS |
| Vgs-Porte-Source-tension | 16 V |
| Identification (courant de drain) | - 90 A |
| Vds-Drain-Source-Panne-tension | - 40 V |
| Vgs-Th-Porte-Source-Seuil-tension | - 2,2 V |
| RDS-Sur-Drain-Source-résistance | 4,3 mOhms |
| Transistor-polarité | P-canal |
| Typique Tour Retard fois | 140 NS |
| Temps de retard d'ouverture | 20 NS |
| Qg-Porte-charge | 176 OR |
| Canal-mode | Amélioration |
Descriptions
Transistor MOSFET P-ch -40V -90A DPAK-2 OptiMOS-P2
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