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D'amélioration de mode de transistor à effet de champ la double P Manche du transistor MOSFET AO8801
  • D'amélioration de mode de transistor à effet de champ la double P Manche du transistor MOSFET AO8801

D'amélioration de mode de transistor à effet de champ la double P Manche du transistor MOSFET AO8801

Lieu d'origine Appel
Nom de marque Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Certification ROHS
Numéro de modèle AO8801
Détails du produit
Nom de produit:
AO8801
Condition:
Original 100%
Methodpe d'installation:
Bâti -55°C | 150°C (TJ) 1.4W de surface de P-canal du transistor MOSFET 4.7A 2 double) (
Paquet:
8-TSSOP (0,173", largeur de 4.40mm)
Tension - approvisionnement:
Norme internationale
Max. Reverse Current:
Norme internationale
Application:
Transistors - FETs de transistors MOSFET - rangées
Surligner: 

Transistor MOSFET de transistor à effet de champ

,

Transistor MOSFET de transistor de mode d'amélioration

,

Transistor à effet de champ AO8801

Description de produit

                                                                  D'amélioration de mode de transistor à effet de champ la double P Manche du transistor MOSFET AO8801 0Fiche technique AO8801
Détails de produit

Description générale

L'AO8801 emploie la technologie avancée de fossé pour fournir à l'excellent RDS (DESSUS), à la basses charge de porte et opération des tensions de porte aussi basses comme 1.8V. Ce dispositif convient pour l'usage comme commutateur de charge ou dans des applications de PWM. C'est ESD s'est protégé. Le produit standard AO8801 est Pb librement (rassemblements ROHS et Sony 259 caractéristiques). AO8801L est une option de commande de produit vert. AO8801 et AO8801L sont électriquement identiques.

Caractéristiques

VDS (v) = -20V
IDENTIFICATION = -4,7 A (VGS = -4.5V)
Estimation du RDS (DESSUS < 42m=""> ) le RDS (DESSUS < 53m=""> ) le RDS (DESSUS < 70m=""> ) ESD : 3000V HBM

Caractéristiques

               
Attribut Valeur d'attribut
Fabricant Alpha et Omega Semiconductor Inc.
Catégorie de produit FETs - rangées
Catégories Transistors - FETs, transistors MOSFET - rangées
Fabricant Alpha et Omega Semiconductor Inc.
Série -
EmballageBande et bobine (TR)
Partie-statutObsolète
De type FETP-canal 2 (double)
FET-caractéristiqueNorme
Drain-à-Source-tension-Vdss 20V
Current-Continuous-Drain-Id-25°C4.7A
RDS-Sur-Maximum-identification-Vgs 42 mOhm @ 4.7A, 4.5V
Vgs-Th-Maximum-identification1V @ 250 ?
Porte-Charge-Qg-maximum-Vgs 17.2nC @ 4.5V
Entrée-Capacité-Ciss-maximum-Vds 1450pF @ 10V
Puissance-maximum1.4W
L'Actionner-température-55°C | 150°C (TJ)
De type support Bâti extérieur
Paquet-cas 8-TSSOP (0,173", largeur de 4.40mm)
Fournisseur-Dispositif-paquet 8-TSSOP
 

Descriptions

Bâti extérieur 8-TSSOP du P-canal de la rangée 2 de transistor MOSFET (double) 20V 4.7A 1.4W

 

Qui sommes-nous ?
est une société professionnelle de commercialisation entièrement occupée dans les champs des semi-conducteurs et des composants électroniques vente et le service pour des clients sur 10 ans, se spécialise en vendant le nouveau et l'usine inutilisée et originale du joint les composants électroniques de garniture. spécialisez-vous dans IC, diode, le transistor, IGBT, *** de convertisseur de DC-DC ..... a installé notre propre conception de service de ventes et a déjà établi des associations fortes avec beaucoup de fabricants célèbres et nous avons plus de 5 000 000 genres de composants électroniques pour vos choix, toujours à vos services !
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: Nous sommes fabricant original OF Integrated Circuit Chip. Nous pouvons faire des affaires d'OEM/ODM.
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: Vous pouvez acheter les produits de notre société directement. Normalement la procédure est signe le contrat, paiement par T/T, contactent la compagnie maritime à la livraison les marchandises à votre pays.
Q : Quelle est la garantie ?
: La garantie libre est à un an du jour de la commission qualifié. S'il y a n'importe quel défaut pour nos produits au cours de la période libre de garantie, nous le réparerons et changerons l'ensemble de défaut pour libre.

 
 

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