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증가 모드 FET MOSFET AO8801 듀얼 p 채널
  • 증가 모드 FET MOSFET AO8801 듀얼 p 채널

증가 모드 FET MOSFET AO8801 듀얼 p 채널

원래 장소 전화
브랜드 이름 Alpha & Omega Semiconductor Inc.
인증 ROHS
모델 번호 AO8801
제품 세부 정보
상품 이름:
AO8801
상태:
원형 100%
설치 메소드페:
MOSFET 4.7A 2 P-채널 (듀얼) 표면 부착 -55' C ~ 150' C (TJ) 1.4W
패키지:
8 TSSOP (0.173 ", 4.40 밀리미터 폭)
전압 - 공급:
국제 기준
맥스. 역류:
국제 기준
애플리케이션:
트랜지스터 -모스페트스 페트스 - 배열
하이 라이트: 

전계 효과 트랜지스터 Mosfet

,

성장 모드 트랜지스터 MOSFET

,

AO8801 전계 효과 트랜지스터

제품 설명

                                                                  증가 모드 FET MOSFET AO8801 듀얼 p 채널 0AO8801 데이터 시트
제품 상세정보

일반 설명

AO8801은 1.8V만큼 낮게 우수한 RDS(ON), 낮은 게이트 요금과 운영에게 게이트 전압을 제공하기 위해 진보적 트렌치 기술을 사용합니다. 이 장치는 로드 스위치로 사용하기 위해 또는 PWM 앱에서 적당합니다. 그것은 보호받은 ESD입니다. 표준품 AO8801은 납프리입니다 (ROHS와 소니 259 내역을 만족시킵니다). AO8801L은 선택을 주문하는 저공해 상품입니다. AO8801과 AO8801L은 전기적으로 동일합니다.

특징

VDS (V) = -20V
(VGS = -4.5V) 당 ID = -4.7
ESD 평가 < 42m=""> (의) < 53m=""> < 70m=""> RDS (의) RDS (의) RDS : 3000V HBM

상술

               
특성 속성 값
제조사 알파 & 오메가 반도체 Inc.
상품 카테고리 FET - 배열
범주 트랜지스터 - 페트스, 모스페트스 - 배열
제조사 알파 & 오메가 반도체 Inc.
시리즈 -
패키징테이프 & 릴 (TR)
부분적 상태퇴역항공기
전계 효과 트랜지스터형(이원적인) 2 P-채널
FET 특징표준
원천 전압 VDS에 고갈되세요 20V
Current-Continuous-Drain-Id-25' C4.7A
Rds ON 상태 최대 ID -브그스 4.7A, 4.5V에 있는 42 모흠
브그스 -스 최대 ID250에 있는 1V?A
게이트전하 -큐그 최대 -브그스 4.5V에 있는 17.2nC
입력 커패시턴스 시스 최대 VDS 10V에 있는 1450pF
전원 최대1.4W
작동 온도-55' C ~ 150' C (TJ)
설치형 표면 부착
포장 케이스 8 TSSOP (0.173 ", 4.40 밀리미터 폭)
공급 툴 장치 패키지 8-TSSOP
 

기술

Mosfet 배열 2 P-채널 (듀얼) 20V 4.7A 1.4W 표면 부착 8-tssop

 

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