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Effet de champ complémentaire de mode d'amélioration de transistor MOSFET du transistor AO4616
  • Effet de champ complémentaire de mode d'amélioration de transistor MOSFET du transistor AO4616

Effet de champ complémentaire de mode d'amélioration de transistor MOSFET du transistor AO4616

Lieu d'origine Appel
Nom de marque Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Certification ROHS
Numéro de modèle AO4616
Détails du produit
Nom de produit:
AO4616
Condition:
Original 100%
Methodpe d'installation:
Transistor MOSFET 8A, 7A N et bâti extérieur -55°C | 150°C (TJ) 8-SOIC (0,154", largeur de 3.90mm) 2
Paquet:
8-SOIC (0,154 po, 3,90 mm de largeur)
Tension - approvisionnement:
Norme internationale
Max. Reverse Current:
Norme internationale
Application:
Transistors - FETs de transistors MOSFET - rangées
Surligner: 

Transistor MOSFET du transistor AO4616

,

Transistor MOSFET complémentaire de transistor

,

Transistor MOSFET AO4616 complémentaire

Description de produit

                                                                  Effet de champ complémentaire de mode d'amélioration de transistor MOSFET du transistor AO4616 0Fiche technique AO4616
Détails de produit

Description générale

L'AO4801A emploie la technologie avancée de fossé pour fournir à l'excellent RDS (DESSUS) la basse charge de porte. Ce dispositif convient pour l'usage comme commutateur de charge ou dans des applications de PWM. Le produit standard AO4801A est sans Pb (rassemblements ROHS et Sony 259 caractéristiques)

Caractéristiques

VDS (v) = -30V
Identification =-5.6A (VGS = 10V)
LE RDS (DESSUS) < 42m="">
LE RDS (DESSUS) < 52m="">
LE RDS (DESSUS) < 75m="">

UIS A EXAMINÉ !

Rg, Ciss, Coss, Crss a examiné

Caractéristiques

                 
Attribut Valeur d'attribut
Fabricant Alpha et Omega Semiconductor Inc.
Catégorie de produit FETs - rangées
Série -
EmballageEmballage alternatif
Paquet-cas 8-SOIC (0,154", largeur de 3.90mm)
L'Actionner-température-55°C | 150°C (TJ)
De type support Bâti extérieur
Fournisseur-Dispositif-paquet 8-SOIC
De type FETN et P-canal
Puissance-maximum2W
VDSS – tension de Drain-source30V
Capacité d'entrée888pF @ 15V
FET-caractéristiquePorte de niveau de logique
Current-Continuous-Drain-Id-25°C8A, 7A
RDS-Sur-Maximum-identification-Vgs 20 mOhm @ 8A, 10V
Vgs-Th-Maximum-identification2.4V @ 250μA
Porte-charge-Qg-Vgs 18nC @ 10V

Descriptions

Rangée N de transistor MOSFET et P-canal 30V 8A, bâti extérieur 8-SOIC de 7A 2W

 

Qui sommes-nous ?
est une société professionnelle de commercialisation entièrement occupée dans les champs des semi-conducteurs et des composants électroniques vente et le service pour des clients sur 10 ans, se spécialise en vendant le nouveau et l'usine inutilisée et originale du joint les composants électroniques de garniture. spécialisez-vous dans IC, diode, le transistor, IGBT, *** de convertisseur de DC-DC ..... a installé notre propre conception de service de ventes et a déjà établi des associations fortes avec beaucoup de fabricants célèbres et nous avons plus de 5 000 000 genres de composants électroniques pour vos choix, toujours à vos services !
FAQ
Q : Est-vous société commerciale ou le fabricant ?
: Nous sommes fabricant original OF Integrated Circuit Chip. Nous pouvons faire des affaires d'OEM/ODM.
Q : De quelle longueur est-il votre délai de livraison ?
: Délai de livraison d'achats de groupe : 30-60 jours ; Délai de livraison général : 20 jours.
Q : Quelles sont vos conditions de paiement ?
: T/T 30% comme dépôt, et 70% avant la livraison.
Q : Comment acheter vos produits ?
: Vous pouvez acheter les produits de notre société directement. Normalement la procédure est signe le contrat, paiement par T/T, contactent la compagnie maritime à la livraison les marchandises à votre pays.
Q : Quelle est la garantie ?
: La garantie libre est à un an du jour de la commission qualifié. S'il y a n'importe quel défaut pour nos produits au cours de la période libre de garantie, nous le réparerons et changerons l'ensemble de défaut pour libre.

 
 

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