De PBSS5350Z de la série 50 V 3 A bas VCEsat transistor extérieur du bâti PNP - SOT-223
Bas VCEsat transistor de PNP dans un paquet SOT223 en plastique.
Complément de NPN : PBSS4350Z.
• Basse tension de saturation de collecteur-émetteur
• Capacité élevée de courant de collecteur : IC et missile aux performances améliorées
• Gain actuel élevé de collecteur (hFE) chez haut IC
• Un rendement plus élevé menant à moins de génération de chaleur
• Conditions réduites de secteur de carte PCB comparées à DPAK.
• Gestion de puissance
– Convertisseurs de DC/DC
– Canalisation d'alimentation commutation
– Chargeur de batterie
– Régulation de tension linéaire (LDO).
• Conducteurs périphériques
– Conducteur dans de basses applications de tension d'alimentation, par exemple lampes,
LED
– Conducteur de charge inductive, par exemple relais, sonneries, moteurs.
Attribut | Valeur d'attribut |
---|---|
Fabricant | Nexperia |
Catégorie de produit | Transistors (BJT) - simple |
Cycle de vie-statut | Production (dernier mis à jour |
Fabricant-Cycle de vie-statut | LIBÉRÉ POUR l'APPROVISIONNEMENT (dernier mis à jour |
Cas-paquet | Sc |
Contact-électrodéposition | Étain |
Bâti | Bâti extérieur |
Nombre-de-goupilles | 4 |
Collecteur-Base-tension-VCBO | 60 V |
Collecteur-Émetteur-Panne-tension | 50 V |
Collecteur-Émetteur-tension-VCEO | 50 V |
Élément-configuration | Simple |
Émetteur-Base-tension-VEBO | 6 V |
Fréquence | 100 mégahertz |
Gain-Largeur de bande-produit | 100 mégahertz |
Maximum-Panne-tension | 50 V |
Maximum-Collecteur-actuel | 3 A |
Maximum-fréquence | 100 mégahertz |
La Maximum-Actionner-température | °C 150 |
Maximum-Puissance-dissipation | 2 W |
La Minute-Actionner-température | -65 °C |
Nombre-de-éléments | 1 |
Emballage | Coupez la bande (les CT) |
Polarité | PNP |
Puissance-dissipation | 2 W |
Programme-b | 8541290080|8541290080|8541290080|8541290080|8541290080 |
Transition-fréquence | 100 mégahertz |
Sans plomb | Sans plomb |
Rayonnement-durcissement | Non |
REACH-SVHC | Aucun SVHC |
RoHS | Conforme |
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