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Las unidades de memoria de IC de semiconductores DS1245Y-70+ NVRAM 1024K SRAM no volátiles
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Las unidades de memoria de IC de semiconductores DS1245Y-70+ NVRAM 1024K SRAM no volátiles

Lugar de origen Llamada
Nombre de la marca Maxim Integrated
Certificación ROHS
Número de modelo DS1245Y-70+
Detalles de producto
Nombre del producto:
DS1245Y-70+
Condición:
Original 100%
Methodpe de la instalación:
NVSRAM (SRAM no volátil) a través del orificio 0°C ~ 70°C (TA) 128 k x 8 Modulo 32-DIP (0.600", 15.2
Paquete:
32-EDIP
Voltagem - Suministro:
Estándar internacional
Max. Reverse Current:
Estándar internacional
Aplicación:
Memoria ICs
Alta luz: 

DS1245Y-70+

,

Los circuitos integrados de memoria DS1245Y-70+

,

IC de memoria NVRAM

Descripción de producto

                                                                  Las unidades de memoria de IC de semiconductores DS1245Y-70+ NVRAM 1024K SRAM no volátiles 0Se aplicará el método de evaluación de la calidad de los productos.

Especificaciones

Atributo Valor del atributo
Fabricante Maxim integrado
Categoría de productos Interfaces de memoria
Serie Las condiciones de los productos
Embalaje El tubo
Estilo de montaje A través del agujero
Cuadro de paquete Modulo DIP de 32 pulgadas (0,600", 15,24 mm)
Temperatura de funcionamiento 0 °C ~ 70 °C (TA)
Interfaz En paralelo
Fuente de suministro de tensión 4.5 V ~ 5.5 V
Envase del producto del proveedor 32 - EDIP
Capacidad de memoria 1M (128K x 8)
Tipo de memoria Las medidas de seguridad y de protección previstas en el presente Reglamento se aplicarán a las instalaciones de seguridad y de protección de los vehículos.
Velocidad 70 años
Tiempo de acceso 70 ns
Formatos de memoria Memoria RAM
Temperatura máxima de funcionamiento + 70 C
Rango de temperatura de funcionamiento 0 C
Corriente de suministro de funcionamiento 85 mA
Tipo de interfaz En paralelo
Organizaciones 128 k x 8
Parte-#-Alias Se aplicará el método de cálculo de las emisiones de gases de efecto invernadero.
Ancho del bus de datos 8 bits
Válvula de alimentación 5.5 V
Válvula de alimentación 4.5 V
Cuadro de paquete EDIP-32

Componente compatible funcional

Parte del fabricante Descripción Fabricante Comparar
Se aplicará el procedimiento siguiente:
Memoria
Modulo SRAM no volátil 128KX8, 70ns, DMA32, 0,740 pulgadas, módulo extendido, DIP-32 Rochester Electronic LLC, también conocido como El valor de las emisiones de gases de efecto invernadero es el valor de las emisiones de gases de efecto invernadero, que es el valor de las emisiones de gases de efecto invernadero.
Se aplicará el procedimiento siguiente:
Memoria
Modulo de SRAM no volátil, 128KX8, 70ns, CMOS, 0,740 INCH, conforme con la normativa ROHS, DIP-32 Productos integrados Maxim El número de unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción.
Se aplicará el procedimiento siguiente:
Memoria
Modulo SRAM no volátil 128KX8, 70ns, DMA32, 0,740 pulgadas, módulo extendido, DIP-32 Rochester Electronic LLC, también conocido como Las condiciones de los vehículos de transporte de mercancías en el interior de los Estados miembros
M48Z128Y-70PM1
Memoria
Se utilizará para la obtención de datos sobre el sistema operativo. STMicroelectrónica DS1245Y-70+ frente a M48Z128Y-70PM1
Se aplicará el procedimiento siguiente:
Memoria
Modulo SRAM no volátil, 128KX8, 70ns, CMOS, 0,740 pulgadas, módulo extendido, DIP-32 Productos integrados Maxim El valor de las emisiones de gases de efecto invernadero es el valor de las emisiones de gases de efecto invernadero.
Se aplicará el procedimiento siguiente:
Memoria
Modulo SRAM no volátil, 128KX8, 70ns, CMOS, 0,740 pulgadas, módulo extendido, DIP-32 Productos integrados Maxim El valor de las emisiones de gases de efecto invernadero es el valor de las emisiones de gases de efecto invernadero, que es el valor de las emisiones de gases de efecto invernadero.
Se aplicará el procedimiento de ensayo.
Memoria
Modulo de SRAM no volátil, 128KX8, 70ns, CMOS, 0,740 INCH, conforme con la normativa ROHS, DIP-32 Productos integrados Maxim Las condiciones de los vehículos de transporte de pasajeros se determinan en función de las características de los vehículos.
Se aplicará el método de ensayo.
Memoria
Modulo de SRAM no volátil, 128KX8, 70ns, CMOS, 0,740 INCH, conforme con la normativa ROHS, DIP-32 Productos integrados Maxim Las medidas de seguridad se aplican a los vehículos de las categorías II y III, y a los vehículos de las categorías III y IV.
M48Z128-70PM1 y sus componentes
Memoria
Se utilizará para la obtención de datos sobre el sistema operativo. STMicroelectrónica DS1245Y-70+ frente a M48Z128-70PM1

Detalles del producto

Descripción

Las SRAM no volátiles DS1245 1024k son 1,048,576 bits, SRAMs totalmente estáticos y no volátiles organizados como 131.072 palabras por 8 bits.Cada SRAM NV completa tiene una fuente de energía de litio autónoma y un circuito de control que supervisa constantemente VCC para detectar una condición fuera de la toleranciaCuando se produce tal condición, la fuente de energía de litio se enciende automáticamente y la protección de escritura está activada incondicionalmente para evitar la corrupción de los datos.Los dispositivos DS1245 de paquete DIP se pueden usar en lugar de las RAM estáticas 128k x 8 existentes que se ajustan directamente al estándar DIP de 32 pines de ancho de byte popularLos dispositivos DS1245 del paquete PowerCap Module se pueden montar directamente en la superficie y normalmente se emparejan con un DS9034PC PowerCap para formar un módulo SRAM no volátil completo.No hay límite en el número de ciclos de escritura que se pueden ejecutar y no se requieren circuitos de soporte adicionales para la interfaz de microprocesador.

Características

■ 10 años de conservación mínima de los datos en ausencia de energía externa
■ Protección automática de los datos en caso de pérdida de energía
■ Reemplaza la memoria RAM estática volátil de 128k x 8, EEPROM o Flash
■ Ciclos de escritura ilimitados
■ CMOS de bajo consumo
■ Tiempos de acceso de lectura y escritura de 70 ns
■ La fuente de energía de litio se desconecta eléctricamente para mantener la frescura hasta la primera aplicación de energía
■ Rango de funcionamiento de VCC completo ± 10% (DS1245Y)
■ Opcional ± 5% de rango de funcionamiento VCC (DS1245AB)
■ rango opcional de temperaturas industriales de -40°C a +85°C, designado IND
■ Paquete DIP de 32 pines estándar de JEDEC
■ el paquete PowerCap Module (PCM)
- Módulo directamente montable en la superficie
- PowerCap con conexión intermitente proporciona batería de respaldo de litio
- Pinout estandarizado para todos los productos SRAM no volátiles
- La función de separación en PowerCap permite la fácil eliminación con un destornillador normal

Descripciones

NVSRAM (SRAM no volátil) IC de memoria 1Mb (128K x 8) paralelo 70ns 32-EDIP
NVRAM 1024K SRAM No volátil

 

 

 

 

 

¿Quiénes somos?

es una empresa profesional de comercialización electrónica que se dedica íntegramente a la venta y al servicio de semiconductores y componentes electrónicos para clientes desde hace más de diez años,Especializado en la venta de los nuevos y no utilizados, original de fábrica de empaque sellado componentes electrónicos. especializados en IC, diodo, transistor, IGBT, convertidor DC-DC...*** ha establecido nuestro propio concepto de servicio de ventas y ya ha establecido sólidas asociaciones con muchos fabricantes famosos y tenemos más de 5 millones de,000,000 tipos de componentes electrónicos para sus opciones, siempre a su servicio!

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P: ¿ Cuál es la garantía?
A: ¿Qué quieres decir?La garantía gratuita es de un año desde el día de la puesta en marcha calificada. Si hay algún defecto en nuestros productos dentro del período de garantía gratuita, lo repararemos y cambiaremos el conjunto de fallas de forma gratuita.
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