Especificações
Atributo | Atributo Valor |
---|---|
Fabricante | Maxim Integrado |
Categoria de produtos | IC de memória |
Série | DS1245Y |
Embalagem | Tubos |
Estilo de montagem | Através do Buraco |
Embalagem | Modulo de 32 DIP (0,600", 15,24 mm) |
Temperatura de funcionamento | 0°C ~ 70°C (TA) |
Interface | Paralelo |
Fornecimento de tensão | 4.5 V ~ 5.5 V |
Embalagem do produto do fornecedor | 32-EDIP |
Capacidade de memória | 1M (128K x 8) |
Tipo de memória | NVSRAM (SRAM não volátil) |
Velocidade | 70 ns |
Tempo de acesso | 70 ns |
Memória de formato | Memória RAM |
Temperatura máxima de funcionamento | + 70 C |
Intervalo de temperatura de funcionamento | 0 C |
Corrente de abastecimento operacional | 85 mA |
Tipo de interface | Paralelo |
Organização | 128 k x 8 |
Parte-#-Aliases | 90-1245Y+070 DS1245Y |
Largura do Data-Bus | 8 bits |
Voltagem de alimentação máxima | 5.5 V |
Voltagem de alimentação-min | 4.5 V |
Embalagem | EDIP-32 |
Componente funcional compatível
Parte do fabricante | Descrição | Fabricante | Comparação |
DS1245AB-70IND Memória |
Módulo SRAM não volátil 128KX8, 70ns, DMA32, 0,740 INCH, Módulo alargado, DIP-32 | Rochester Electronics LLC | DS1245Y-70+ versus DS1245AB-70IND |
DS1245AB-70+ Memória |
Modulo SRAM não volátil, 128KX8, 70ns, CMOS, 0,740 INCH, compatível com a ROHS, DIP-32 | Produtos integrados Maxim | DS1245Y-70+ versus DS1245AB-70+ |
DS1245Y-70IND Memória |
Módulo SRAM não volátil 128KX8, 70ns, DMA32, 0,740 INCH, Módulo alargado, DIP-32 | Rochester Electronics LLC | DS1245Y-70+ versus DS1245Y-70IND |
M48Z128Y-70PM1 Memória |
Módulo SRAM não volátil 128KX8, 70ns, PDMA32, PMDIP-32 | STMicroelectrónica | DS1245Y-70+ versus M48Z128Y-70PM1 |
DS1245Y-70 Memória |
Modulo SRAM não volátil, 128KX8, 70ns, CMOS, 0,740 INCH, MODULO EXTENDIDO, DIP-32 | Produtos integrados Maxim | DS1245Y-70+ versus DS1245Y-70 |
DS1245AB-70 Memória |
Modulo SRAM não volátil, 128KX8, 70ns, CMOS, 0,740 INCH, MODULO EXTENDIDO, DIP-32 | Produtos integrados Maxim | DS1245Y-70+ versus DS1245AB-70 |
DS1245Y-70IND+ Memória |
Modulo SRAM não volátil, 128KX8, 70ns, CMOS, 0,740 INCH, compatível com a ROHS, DIP-32 | Produtos integrados Maxim | DS1245Y-70+ versus DS1245Y-70IND+ |
DS1245AB-70IND+ Memória |
Modulo SRAM não volátil, 128KX8, 70ns, CMOS, 0,740 INCH, compatível com a ROHS, DIP-32 | Produtos integrados Maxim | DS1245Y-70+ versus DS1245AB-70IND+ |
M48Z128-70PM1 Memória |
Módulo SRAM não volátil 128KX8, 70ns, PDMA32, PMDIP-32 | STMicroelectrónica | DS1245Y-70+ versus M48Z128-70PM1 |
Detalhes do produto
As SRAMs DS1245 1024k não voláteis são1,048576 bits, SRAMs totalmente estáticas e não voláteis organizadas em 131.072 palavras por 8 bits.Cada SRAM NV completa possui uma fonte de energia de lítio autónoma e um circuito de controlo que monitora constantemente o VCC para uma condição fora de tolerânciaQuando tal condição ocorre, a fonte de energia de lítio é automaticamente ligada e a proteção de gravação é activada incondicionalmente para evitar a corrupção de dados.Os dispositivos DS1245 do pacote DIP podem ser usados no lugar das RAMs estáticas existentes de 128k x 8 diretamente conformes ao padrão DIP de 32 pinos popularOs dispositivos DS1245 do pacote PowerCap Module são montáveis diretamente na superfície e são normalmente emparelhados com um DS9034PC PowerCap para formar um módulo SRAM não volátil completo.Não há limite no número de ciclos de gravação que podem ser executados e não é necessária nenhuma circuita de suporte adicional para a interface do microprocessador.
■ 10 anos de conservação mínima dos dados na ausência de energia externa
■ Proteção automática dos dados em caso de perda de energia
■ Substitui memória RAM estática volátil de 128k x 8, memória EEPROM ou flash
■ Ciclos de gravação ilimitados
■ CMOS de baixo consumo
■ Tempo de acesso de leitura e gravação de 70 ns
■ A fonte de energia de lítio é desconectada electricamente para manter a frescura até que a energia seja aplicada pela primeira vez
■ Distância total de funcionamento VCC ± 10% (DS1245Y)
■ Opcional ± 5% de faixa de funcionamento VCC (DS1245AB)
■ Faixa de temperatura industrial opcional de -40°C a +85°C, designada IND
■ Pacote DIP padrão JEDEC de 32 pinos
■ Pacote PowerCap Module (PCM)
- Módulo montável diretamente na superfície
- A PowerCap com bateria de reposição de lítio.
- Pinout padronizado para todos os produtos SRAM não voláteis
- A função de separação do PowerCap permite a sua fácil remoção com uma chave de fenda normal.
Descrições
Quem somos nós?
É uma empresa profissional de comercialização de produtos eletrónicos que se dedica inteiramente à venda e ao serviço de semicondutores e componentes eletrónicos para clientes há mais de 10 anos,Especializam-se na venda de produtos novos e não utilizados, embalagem de fábrica original de componentes eletrônicos. especializados em IC, diodo, transistor, IGBT, conversor DC-DC...*** estabeleceu o nosso próprio conceito de serviço de vendas e já estabeleceu fortes parcerias com muitos fabricantes famosos e temos mais de 5,000Milhares de tipos de componentes eletrónicos para a sua escolha, sempre ao seu serviço!
Perguntas frequentes
P: É uma empresa comercial ou fabricante?
R: Somos fabricantes originais deChip de circuito integradoPodemos fazer negócios OEM/ODM.
P: Quanto tempo é o seu prazo de entrega?
A:Prazo de entrega para compras em grupo: 30-60 dias; Prazo de entrega geral: 20 dias.
P: Quais são os seus termos de pagamento?
A:T/T 30% como depósito e 70% antes da entrega.
P: Como comprar os seus produtos?
A:Você pode comprar os produtos da nossa empresa diretamente.Normalmente o procedimento é assinar o contrato, pagamento por T / T,Contacte a empresa de transporte para entregar as mercadorias para o seu país.
Q: Qual é a garantia?
A:A garantia gratuita é de um ano a partir do dia de comissionamento qualificado. Se houver qualquer falha para os nossos produtos dentro do período de garantia gratuita, vamos repará-lo e mudar o conjunto de falha gratuitamente.
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