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Semicondutores DS1245Y-70+ IC de memória NVRAM 1024K SRAM Não volátil
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Semicondutores DS1245Y-70+ IC de memória NVRAM 1024K SRAM Não volátil

Lugar de origem Chamada
Marca Maxim Integrated
Certificação ROHS
Número do modelo DS1245Y-70+
Detalhes do produto
Nome do produto:
DS1245Y-70+
Condição:
Original 100%
Methodpe da instalação:
NVSRAM (SRAM não volátil) através do buraco 0°C ~ 70°C (TA) 128 k x 8 Modulo 32-DIP (0,600", 15,24 m
Pacote:
32-EDIP
Voltagem - Fornecimento:
Standard internacional
Máximo Reverso Atual:
Standard internacional
Aplicação:
Memória CI
Realçar: 

DS1245Y-70+

,

IC de memória DS1245Y-70+

,

IC de memória NVRAM

Descrição do produto

                                                                  Semicondutores DS1245Y-70+ IC de memória NVRAM 1024K SRAM Não volátil 0Ficha de dados DS1245Y-70+

Especificações

Atributo Atributo Valor
Fabricante Maxim Integrado
Categoria de produtos IC de memória
Série DS1245Y
Embalagem Tubos
Estilo de montagem Através do Buraco
Embalagem Modulo de 32 DIP (0,600", 15,24 mm)
Temperatura de funcionamento 0°C ~ 70°C (TA)
Interface Paralelo
Fornecimento de tensão 4.5 V ~ 5.5 V
Embalagem do produto do fornecedor 32-EDIP
Capacidade de memória 1M (128K x 8)
Tipo de memória NVSRAM (SRAM não volátil)
Velocidade 70 ns
Tempo de acesso 70 ns
Memória de formato Memória RAM
Temperatura máxima de funcionamento + 70 C
Intervalo de temperatura de funcionamento 0 C
Corrente de abastecimento operacional 85 mA
Tipo de interface Paralelo
Organização 128 k x 8
Parte-#-Aliases 90-1245Y+070 DS1245Y
Largura do Data-Bus 8 bits
Voltagem de alimentação máxima 5.5 V
Voltagem de alimentação-min 4.5 V
Embalagem EDIP-32

Componente funcional compatível

Parte do fabricante Descrição Fabricante Comparação
DS1245AB-70IND
Memória
Módulo SRAM não volátil 128KX8, 70ns, DMA32, 0,740 INCH, Módulo alargado, DIP-32 Rochester Electronics LLC DS1245Y-70+ versus DS1245AB-70IND
DS1245AB-70+
Memória
Modulo SRAM não volátil, 128KX8, 70ns, CMOS, 0,740 INCH, compatível com a ROHS, DIP-32 Produtos integrados Maxim DS1245Y-70+ versus DS1245AB-70+
DS1245Y-70IND
Memória
Módulo SRAM não volátil 128KX8, 70ns, DMA32, 0,740 INCH, Módulo alargado, DIP-32 Rochester Electronics LLC DS1245Y-70+ versus DS1245Y-70IND
M48Z128Y-70PM1
Memória
Módulo SRAM não volátil 128KX8, 70ns, PDMA32, PMDIP-32 STMicroelectrónica DS1245Y-70+ versus M48Z128Y-70PM1
DS1245Y-70
Memória
Modulo SRAM não volátil, 128KX8, 70ns, CMOS, 0,740 INCH, MODULO EXTENDIDO, DIP-32 Produtos integrados Maxim DS1245Y-70+ versus DS1245Y-70
DS1245AB-70
Memória
Modulo SRAM não volátil, 128KX8, 70ns, CMOS, 0,740 INCH, MODULO EXTENDIDO, DIP-32 Produtos integrados Maxim DS1245Y-70+ versus DS1245AB-70
DS1245Y-70IND+
Memória
Modulo SRAM não volátil, 128KX8, 70ns, CMOS, 0,740 INCH, compatível com a ROHS, DIP-32 Produtos integrados Maxim DS1245Y-70+ versus DS1245Y-70IND+
DS1245AB-70IND+
Memória
Modulo SRAM não volátil, 128KX8, 70ns, CMOS, 0,740 INCH, compatível com a ROHS, DIP-32 Produtos integrados Maxim DS1245Y-70+ versus DS1245AB-70IND+
M48Z128-70PM1
Memória
Módulo SRAM não volátil 128KX8, 70ns, PDMA32, PMDIP-32 STMicroelectrónica DS1245Y-70+ versus M48Z128-70PM1

Detalhes do produto

Descrição

As SRAMs DS1245 1024k não voláteis são1,048576 bits, SRAMs totalmente estáticas e não voláteis organizadas em 131.072 palavras por 8 bits.Cada SRAM NV completa possui uma fonte de energia de lítio autónoma e um circuito de controlo que monitora constantemente o VCC para uma condição fora de tolerânciaQuando tal condição ocorre, a fonte de energia de lítio é automaticamente ligada e a proteção de gravação é activada incondicionalmente para evitar a corrupção de dados.Os dispositivos DS1245 do pacote DIP podem ser usados no lugar das RAMs estáticas existentes de 128k x 8 diretamente conformes ao padrão DIP de 32 pinos popularOs dispositivos DS1245 do pacote PowerCap Module são montáveis diretamente na superfície e são normalmente emparelhados com um DS9034PC PowerCap para formar um módulo SRAM não volátil completo.Não há limite no número de ciclos de gravação que podem ser executados e não é necessária nenhuma circuita de suporte adicional para a interface do microprocessador.

Características

■ 10 anos de conservação mínima dos dados na ausência de energia externa
■ Proteção automática dos dados em caso de perda de energia
■ Substitui memória RAM estática volátil de 128k x 8, memória EEPROM ou flash
■ Ciclos de gravação ilimitados
■ CMOS de baixo consumo
■ Tempo de acesso de leitura e gravação de 70 ns
■ A fonte de energia de lítio é desconectada electricamente para manter a frescura até que a energia seja aplicada pela primeira vez
■ Distância total de funcionamento VCC ± 10% (DS1245Y)
■ Opcional ± 5% de faixa de funcionamento VCC (DS1245AB)
■ Faixa de temperatura industrial opcional de -40°C a +85°C, designada IND
■ Pacote DIP padrão JEDEC de 32 pinos
■ Pacote PowerCap Module (PCM)
- Módulo montável diretamente na superfície
- A PowerCap com bateria de reposição de lítio.
- Pinout padronizado para todos os produtos SRAM não voláteis
- A função de separação do PowerCap permite a sua fácil remoção com uma chave de fenda normal.

Descrições

NVSRAM (SRAM não volátil) Memória IC 1Mb (128K x 8) Paralela 70ns 32-EDIP
NVRAM 1024K SRAM Não volátil

 

 

 

 

 

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É uma empresa profissional de comercialização de produtos eletrónicos que se dedica inteiramente à venda e ao serviço de semicondutores e componentes eletrónicos para clientes há mais de 10 anos,Especializam-se na venda de produtos novos e não utilizados, embalagem de fábrica original de componentes eletrônicos. especializados em IC, diodo, transistor, IGBT, conversor DC-DC...*** estabeleceu o nosso próprio conceito de serviço de vendas e já estabeleceu fortes parcerias com muitos fabricantes famosos e temos mais de 5,000Milhares de tipos de componentes eletrónicos para a sua escolha, sempre ao seu serviço!

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