El MC100EPT22 es un LVTTL/LVCMOS dual al traductor diferenciado de LVPECL. Porque se utilizan los niveles de LVPECL (ECL positivo) se requieren solamente +3,3 V y la tierra. El pequeño paquete del esquema 8−lead y la sola puerta del EPT22 hace ideal para esos usos donde están el espacio, el funcionamiento, y la energía baja en un premio. Porque se utiliza el proceso maduro del MOSAICO 5, el bajo costo y la velocidad se pueden añadir a la lista de características.
Características
•retraso de propagación típico de 420 picosegundos
•Frecuencia máxima > 1,1 gigahertz típicos
•Rango de operación: VCC= 3,0 V a 3,6 V con tierra = 0 V
•PNP LVTTL entra para el cargamento mínimo
•La salida de Q omitirá ARRIBA con las entradas abiertas
•Las 100 series contienen la remuneración de temperatura.
•Los paquetes de Pb−Free están disponibles
Especificaciones
Cualidad | Valor del atributo |
---|---|
Fabricante | onsemi |
Categoría de producto | Traductores del voltaje, desplazadores llanos |
Serie | 100EPT |
Tipo | LVCMOS/LVTTL a LVPECL |
Empaquetado | Empaquetado alterno de la cinta y del carrete (TR) |
Unidad-peso | 0,019048 onzas |
Montaje-estilo | SMD/SMT |
Paquete-caso | 8-SOIC (0,154", anchura de 3.90m m) |
Actuar-temperatura | -40°C ~ 85°C (TA) |
Montaje-tipo | Soporte superficial |
Salida-tipo | Diferencial |
Características | - |
Proveedor-Dispositivo-paquete | 8-SOIC |
Número-de-circuitos | 1 circuito |
Dato-tarifa | - |
Lógica-tipo | Traductor |
Traductor-tipo | Señales encontradas |
Canal-tipo | Unidireccional |
Canal-por-circuito | 2 |
Voltaje-VCCA | - |
Voltaje-VCCB | - |
Entrada-señal | LVCMOS, LVTTL |
Salida-señal | LVPECL |
Temperatura de funcionamiento máximo | + 85 C |
Gama de temperaturas de funcionamiento | - 40 C |
Parte-#-alias | MC100EPT22DG |
Fuente-Voltaje-máximo | 3,6 V |
Fuente-Voltaje-minuto | 3 V |
Paquete-caso | SOIC-8 |
Lógica-familia | ECL |
Retraso de propagación | 0,675 ns |
Forma, paquete, componente compatible funcional
Fabricante Part # | Descripción | Fabricante | Compare |
MC100LVELT22DR2G Conductores e interfaces |
Traductor, LVTTL dual/LVCMOS a LVPECL diferenciado, SOIC-8 cuerpo estrecho, 2500-REEL | EN el semiconductor | MC100EPT22DR2G contra MC100LVELT22DR2G |
MC100LVELT22DTG Conductores e interfaces |
Traductor, LVTTL dual/LVCMOS a LVPECL diferenciado, TSSOP 8 3.0x3.0x0.95 milímetro, 100-TUBE | EN el semiconductor | MC100EPT22DR2G contra MC100LVELT22DTG |
SY100ELT22LZG Conductores e interfaces |
TTL/CMOS DUAL AL TRADUCTOR DE PECL, SALIDA COMPLEMENTARIA, PDSO8 | Tecnología inc. del microchip | MC100EPT22DR2G contra SY100ELT22LZG |
SY100ELT22ZG Conductores e interfaces |
TTL/CMOS DUAL AL TRADUCTOR DE PECL, SALIDA COMPLEMENTARIA, PDSO8 | Tecnología inc. del microchip | MC100EPT22DR2G contra SY100ELT22ZG |
SY100EPT22VKG Conductores e interfaces |
TTL/CMOS DUAL AL TRADUCTOR DE PECL, SALIDA COMPLEMENTARIA, PDSO8 | Tecnología inc. del microchip | MC100EPT22DR2G contra SY100EPT22VKG |
MC100EPT22DG Conductores e interfaces |
Traductor, LVTTL dual/LVCMOS a LVPECL diferenciado, SOIC-8 cuerpo estrecho, 98-TUBE | EN el semiconductor | MC100EPT22DR2G contra MC100EPT22DG |
MC100LVELT22DG Conductores e interfaces |
Traductor, LVTTL dual/LVCMOS a LVPECL diferenciado, SOIC-8 cuerpo estrecho, 98-TUBE | EN el semiconductor | MC100EPT22DR2G contra MC100LVELT22DG |
MC100ELT22DTG Conductores e interfaces |
Traductor, TTL dual a PECL diferenciado, TSSOP 8 3.0x3.0x0.95 milímetro, 100-TUBE | EN el semiconductor | MC100EPT22DR2G contra MC100ELT22DTG |
MC100EPT22DTG Conductores e interfaces |
Traductor, LVTTL dual/LVCMOS a LVPECL diferenciado, TSSOP 8 3.0x3.0x0.95 milímetro, 100-TUBE | EN el semiconductor | MC100EPT22DR2G contra MC100EPT22DTG |
MC100ELT22DG Conductores e interfaces |
Traductor, TTL dual a PECL diferenciado, SOIC-8 cuerpo estrecho, 98-TUBE | EN el semiconductor | MC100EPT22DR2G contra MC100ELT22DG |
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