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| 起源の場所 | 呼出し |
| ブランド名 | onsemi |
| 証明 | ROHS |
| モデル番号 | MC100EPT22DR2G |
MC100EPT22DR2Gのデータ用紙MC100EPT22は差動LVPECLの訳者へ二重LVTTL/LVCMOSである。LVPECL （肯定的なECL）のレベルが使用されるので+3.3ボルトおよび地面だけ要求される。EPT22の小さい輪郭8−leadのパッケージそして単一のゲートはそれをスペース、性能および低い電力が報酬にあるそれらの適用にとって理想的にさせる。成長したモザイク5プロセスが使用されるので、安価および高速は特徴のリストに加えることができる。
特徴
•420 psの典型的な伝搬遅延
•最高の頻度>典型的な1.1 GHz
•動作範囲:VCC= 3.0 Vから3.6ボルトとのGND = 0ボルト
•PNP LVTTLは最低のローディングのために入る
•Qの出力は開いた入力と高く履行を怠る
•100つのシリーズは温度修正を含んでいる。
•Pb−Freeのパッケージは利用できる
指定
| 属性 | 属性値 |
|---|---|
| 製造業者 | onsemi |
| 製品カテゴリ | 電圧訳者、水平なベルト寄せ |
| シリーズ | 100EPT |
| タイプ | LVCMOS/LVTTLへのLVPECL |
| 包装 | テープ及び巻き枠（TR）の互い違いの包装 |
| 単位重量 | 0.019048 oz |
| 土台式 | SMD/SMT |
| パッケージ場合 | 8-SOIC （0.154"、3.90mmの幅） |
| 作動温度 | -40°C | 85°C （TA） |
| 土台タイプ | 表面の台紙 |
| 出力タイプ | 差動 |
| 特徴 | - |
| 製造者装置パッケージ | 8-SOIC |
| 数の回路 | 1つの回路 |
| データ レート | - |
| 論理タイプ | 訳者 |
| 訳者タイプ | 複雑な兆候 |
| チャネル タイプ | 単方向 |
| チャネル每回路 | 2 |
| 電圧VCCA | - |
| 電圧VCCB | - |
| 入力信号 | LVCMOS、LVTTL |
| 出力信号 | LVPECL |
| 最高使用可能温度 | + 85 C |
| 実用温度範囲 | - 40 C |
| 一部#別名 | MC100EPT22DG |
| 供給電圧最高 | 3.6 V |
| 供給電圧分 | 3ボルト |
| パッケージ場合 | SOIC-8 |
| 論理家族 | ECL |
| 伝搬遅延 | 0.675 ns |
形態、パッケージ、機能多用性がある部品
| Part#製造業者 | 記述 | 製造業者 | 比較しなさい |
| MC100LVELT22DR2G 運転者およびインターフェイス |
訳者、二重LVTTL/差動LVPECLのSOIC-8狭いボディへのLVCMOS、2500-REEL | オン・セミコンダクター | MC100EPT22DR2G対MC100LVELT22DR2G |
| MC100LVELT22DTG 運転者およびインターフェイス |
訳者、二重LVTTL/差動LVPECL、TSSOP 8 3.0x3.0x0.95 mm、100-TUBEへのLVCMOS | オン・セミコンダクター | MC100EPT22DR2G対MC100LVELT22DTG |
| SY100ELT22LZG 運転者およびインターフェイス |
PECLの訳者、補足の出力、PDSO8への二重TTL/CMOS | マイクロチップ・テクノロジー株式会社 | MC100EPT22DR2G対SY100ELT22LZG |
| SY100ELT22ZG 運転者およびインターフェイス |
PECLの訳者、補足の出力、PDSO8への二重TTL/CMOS | マイクロチップ・テクノロジー株式会社 | MC100EPT22DR2G対SY100ELT22ZG |
| SY100EPT22VKG 運転者およびインターフェイス |
PECLの訳者、補足の出力、PDSO8への二重TTL/CMOS | マイクロチップ・テクノロジー株式会社 | MC100EPT22DR2G対SY100EPT22VKG |
| MC100EPT22DG 運転者およびインターフェイス |
訳者、二重LVTTL/差動LVPECLのSOIC-8狭いボディへのLVCMOS、98-TUBE | オン・セミコンダクター | MC100EPT22DR2G対MC100EPT22DG |
| MC100LVELT22DG 運転者およびインターフェイス |
訳者、二重LVTTL/差動LVPECLのSOIC-8狭いボディへのLVCMOS、98-TUBE | オン・セミコンダクター | MC100EPT22DR2G対MC100LVELT22DG |
| MC100ELT22DTG 運転者およびインターフェイス |
訳者、差動PECL、TSSOP 8 3.0x3.0x0.95 mm、100-TUBEへの二重TTL | オン・セミコンダクター | MC100EPT22DR2G対MC100ELT22DTG |
| MC100EPT22DTG 運転者およびインターフェイス |
訳者、二重LVTTL/差動LVPECL、TSSOP 8 3.0x3.0x0.95 mm、100-TUBEへのLVCMOS | オン・セミコンダクター | MC100EPT22DR2G対MC100EPT22DTG |
| MC100ELT22DG 運転者およびインターフェイス |
訳者、差動PECLへの二重TTL、SOIC-8狭いボディ、98-TUBE | オン・セミコンダクター | MC100EPT22DR2G対MC100ELT22DG |
記述
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