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반도체 X28HC64P-12 메모리 IC EEPROM 64KBIT 병렬 28DIP
  • 반도체 X28HC64P-12 메모리 IC EEPROM 64KBIT 병렬 28DIP

반도체 X28HC64P-12 메모리 IC EEPROM 64KBIT 병렬 28DIP

원래 장소 전화
브랜드 이름 Xicor
인증 ROHS
모델 번호 X28HC64P-12
제품 세부 정보
제품 이름:
X28HC64P-12
조건:
원형 100%
설치 메소드페:
EEPROM 0°C ~ 70°C(TA) 28-PDIP 4.5V ~ 5.5V
패키지:
28-DIP(0.600", 15.24mm)
전압 - 공급:
국제 기준
맥스. 역류:
국제 기준
적용:
메모리 ics
하이 라이트: 

X28HC64P-12

,

EEPROM 메모리 IC

,

X28HC64P-12 메모리 IC

제품 설명

                                                                  반도체 X28HC64P-12 메모리 IC EEPROM 64KBIT 병렬 28DIP 0X28HC64P-12 데이터 시트

사양

속성 속성 값
제조업자 시코르
제품 분류 메모리 IC
시리즈 -
포장 튜브
패키지 케이스 28-DIP (0.600", 15.24mm)
작동 온도 0°C ~ 70°C (TA)
인터페이스 평행
전압 공급 4.5V ~ 5.5V
공급자 제품 패키지 28-PDIP
메모리 용량 64K (8K x 8)
메모리 타입 EEPROM
속도 120n
형식 메모리 EEPROM - 병렬
 

기능적 호환성 부품

제품 세부 정보

설명

X28HC64는 8K x 8 E2PROM이며, Xicor의 독점, 고성능, 부동소수 게이트 CMOS 기술을 사용하여 제조되었습니다. 모든 Xicor 프로그래밍 가능한 비휘발성 메모리와 마찬가지로 X28HC64는 5V 단 장치입니다..X28HC64는 업계 표준 RAM와 호환되는 바이트 넓은 메모리를 위한 JEDEC 승인된 핀아웃을 갖추고 있다.

 

 

특징

• 55ns 접속 시간
• 단순 바이트 및 페이지 쓰기
5V 전원 공급
외부 고전압 또는 VPP 제어 회로
자기 시간
작성하기 전에 지우면 안 됩니다
복잡한 프로그래밍 알고리즘이 없습니다.
과잉 훼손 문제 가 없다
• 저전력 CMOS
40mA 액티브 커먼트 맥스
200μA 대기 전류 최대
• 빠른 기록 주기 시간
64 바이트 페이지 쓰기 작업
바이트 또는 페이지 쓰기 사이클: 2ms 전형적인
전체 메모리 재쓰기: 0.25초. 전형적인
효과적 바이트 기록 주기 시간: 32μs 전형적
• 소프트웨어 데이터 보호
• 작성 종료 탐지
DATA 설문 조사
트글 비트
• 높은 신뢰성
견고성: 10만 회
데이터 보존: 100년
• JEDEC 승인 바이트 폭 피누트

설명

EEPROM 메모리 IC 64Kb (8K x 8) 병렬 120ns 28-PDIP

 
 

우리가 누구죠?

전문 전자 마케팅 기업으로 10년 이상 반도체 및 전자 부품 판매 및 고객 서비스 분야에 전념하고 있습니다.새로운 제품과 사용되지 않은 제품을 판매하는 전문, 원본 공장 밀폐 전자 부품. IC, 다이오드, 트랜지스터, IGBT, DC-DC 변환기 전문...***우리 자신의 판매 서비스 개념을 설정하고 이미 많은 유명한 제조업체와 강력한 파트너십을 구축했습니다,0001000종류의 전자 부품들이 항상 여러분의 서비스입니다!

FAQ
질문: 무역 회사나 제조업자인가요?
A: 우리는 오리지널 제조자입니다통합 회로 칩우리는 OEM/ODM 사업을 할 수 있습니다.
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A:T/T 30% 보증금, 70% 배송 전에
Q: 어떻게 제품을 사나요?
A:당신은 우리의 회사에서 직접 제품을 구입할 수 있습니다. 보통 절차는 계약에 서명, T / T에 의해 지불, 배송 회사에 연락하여 당신의 나라에 상품을 배달합니다.
질문: 보증은 얼마인가요?
A:무료 보증은 자격을 갖춘 시공일부터 1 년입니다. 무료 보증 기간 내에 제품에 대한 결함이있는 경우, 우리는 그것을 수리하고 결함 조립을 무료로 변경합니다.
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