반도체 CY14B101LA-SZ45XI 메모리 IC NVRAM 1Mb 3V 45ns 128K X 8 NvSRAM

                                                                  CY14B101LA-SZ45XI 데이터 시트

사양

기능적 호환성 부품

제품 세부 정보

기능 설명

사이프러스 CY14B101LA/CY14B101NA는 빠른 정적 RAM (SRAM) 이며, 각 메모리 셀에 비휘발성 요소가 있습니다. 메모리는 각각 8 비트의 128 K 바이트 또는 각각 16 비트의 64 K 단어로 구성되어 있습니다.내장된 비휘발성 요소는 퀀텀 트랩 기술을 포함합니다., 세계에서 가장 신뢰할 수 있는 비휘발성 메모리를 생산합니다. SRAM은 무한한 읽기 및 기록 주기를 제공하며 독립적인 비휘발성 데이터는 매우 신뢰할 수있는 퀀텀 트랩 셀에 있습니다.SRAM에서 비휘발성 요소로 데이터 전송 (STORE 작업) 은 전원이 꺼지면 자동으로 이루어집니다.. 전원을 켜면 비휘발성 메모리로부터 SRAM (RECALL 작업) 에 데이터가 복원됩니다. 스토어 및 RECALL 작업 모두 소프트웨어 제어 하에 제공됩니다.

특징

■ 20 ns, 25 ns 및 45 ns 액세스 시간
■ 128 K × 8 (CY14B101LA) 또는 64 K × 16 (CY14B101NA) 로 내부적으로 구성됩니다.
■ 소형 콘덴서만 사용해서 전원 꺼지면 자동 저장장치
■ STORE to QuantumTrap 소프트웨어, 장치 핀 또는 전원 종료 시 자동 저장에 의해 시작되는 비휘발성 요소
■ 소프트웨어 또는 전원화로 시작된 SRAM에 RECALL
■ 무한 한 읽기, 기록 및 RECALL 사이클
■ 1백만 개의 STORE 사이클을 퀀텀 트랩에
■ 20년 데이터 보존
■ 단일 3V +20% ~ -10% 작동
■ 산업용 온도
■ 패키지
32핀 소형 통합 회로 (SOIC)
44-/54-Pin 얇은 작은 윤곽 패키지 (TSOP II)
48 핀 쪼그라마 줄이는 작은 윤곽 패키지 (SSOP)
48볼 얇은 피치 볼 그리드 배열 (FBGA)
■ Pb가 없고 위험 물질 제한 (RoHS) 에 부합합니다

장치설명

우리가 누구죠?

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