Les circuits intégrés de mémoire CY14B101LA-SZ45XI NVRAM 1Mb 3V 45ns 128K X 8 NvSRAM

                                                                  La feuille de données CY14B101LA-SZ45XI

Les spécifications

Composant fonctionnel compatible

Détails du produit

Description fonctionnelle

Le Cypress CY14B101LA/CY14B101NA est une RAM statique rapide (SRAM), avec un élément non volatil dans chaque cellule de mémoire.Les éléments non volatils intégrés intègrent la technologie QuantumTrapLa mémoire SRAM fournit des cycles de lecture et d'écriture infinis, tandis que les données non volatiles indépendantes résident dans la cellule QuantumTrap hautement fiable.Les transferts de données de la SRAM vers les éléments non volatils (opération STORE) ont lieu automatiquement à l'arrêt de l'énergie. Lors de l'allumage, les données sont restaurées dans la SRAM (l'opération RECALL) à partir de la mémoire non volatile. Les opérations STORE et RECALL sont également disponibles sous contrôle logiciel.

Caractéristiques

■ Temps d'accès de 20 ns, 25 ns et 45 ns
■ Organisé en interne comme 128 K × 8 (CY14B101LA) ou 64 K × 16 (CY14B101NA)
■ Éteindre les mains en cas d'arrêt de l'alimentation avec seulement un petit condensateur
■ STORE à QuantumTrap éléments non volatils initiés par un logiciel, une broche de l'appareil ou AutoStore à l'arrêt
■ RECALL sur SRAM initié par logiciel ou activation
■ Des cycles de lecture, d'écriture et de RECALL infinies
■ 1 million de cycles STORE à QuantumTrap
■ 20 ans de conservation des données
■ fonctionnement à 3 V unique +20% à -10%
■ température industrielle
■ Paquetage

¢ 44-/54-Pin petit ensemble de contours minces (TSOP II)


■ exempt de Pb et conforme à la restriction des substances dangereuses (RoHS)

DispositifDécrits

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