속성 | 속성 값 |
---|---|
제조업자 | 프리스케일 / NXP |
제품 분류 | 마이크로 컨트롤러 |
시리즈 | S08 |
포장 | 테이프 & 롤 (TR) 대체 포장 |
단위 무게 | 00.002194 온스 |
장착 방식 | SMD/SMT |
패키지 케이스 | 16-TSSOP (0.173", 4.40mm 너비) |
작동 온도 | -40°C ~ 125°C (TA) |
공급자 제품 패키지 | 16-TSSOP |
I-O의 숫자 | 12 I/O |
속도 | 40MHz |
EEPROM 크기 | - |
코어 프로세서 | S08 |
RAM 크기 | 256 x 8 |
프로그램 메모리 | 플래시 |
주변 장치 | LVD, POR, PWM, WDT |
연결성 | I2C, LIN, SCI, SPI |
전압 공급-Vcc-Vdd | 2.7V ~ 5.5V |
코어 크기 | 8비트 |
프로그램 메모리 크기 | 4KB (4K x 8) |
데이터 변환기 | A/D 8x10b |
오시레이터 타입 | 내부 |
최대 작동 온도 | + 125C |
작동 온도 범위 | - 40C |
작동 공급 전압 | 2.7V ~ 5.5V |
인터페이스 타입 | 연쇄 |
원자 | S08 |
데이터 버스 너비 | 8비트 |
공급 전압 최대 | 5.5V |
공급 전압-분 | 2.7V |
패키지 케이스 | TSSOP-16 |
최대 시계 주파수 | 40MHz |
ADC 채널 수 | 8 ADC 채널 |
입력/출력 | 12 I/O |
데이터-RAM 크기 | 256B |
타이머 카운터 수 | 2 타이머 |
ADC 해상도 | 10비트 |
데이터-RAM 타입 | RAM |
Mfr | NXP USA Inc. |
패키지 | 테이프 & 릴 (TR) 컷 테이프 (CT) 디지 릴® |
제품 상태 | 액티브 |
연결성 | I2C LINbus SCI SPI |
주변 장치 | LVD POR PWM WDT |
I-O의 숫자 | 12 |
프로그램 메모리 타입 | 플래시 |
전압 공급-Vcc-Vdd | 2.7V ~ 5.5V |
장착형 | 표면 마운트 |
패키지 케이스 | 16-TSSOP (0.173" 4.40mm 너비) |
기본 제품 번호 | S9S08 |
제조자 부분# | 설명 | 제조업자 | 비교 |
S9S08SG4E2VTGR 마이크로 컨트롤러 및 프로세서 |
8비트, 플래시, 40MHz, 마이크로 컨트롤러, PDSO16 | NXP 반도체 | S9S08SG4E2MTGR 대 S9S08SG4E2VTGR |
S9S08SG4E2CTG 마이크로 컨트롤러 및 프로세서 |
8비트, 플래시, 40MHz, 마이크로 컨트롤러, PDSO16 | NXP 반도체 | S9S08SG4E2MTGR 대 S9S08SG4E2CTG |
S9S08SG4E2CTGR 마이크로 컨트롤러 및 프로세서 |
8비트, 플래시, 40MHz, 마이크로 컨트롤러, PDSO16 | NXP 반도체 | S9S08SG4E2MTGR 대 S9S08SG4E2CTGR |
S9S08SG4E2MTG 마이크로 컨트롤러 및 프로세서 |
8비트, 플래시, 40MHz, 마이크로 컨트롤러, PDSO16, ROHS 컴플라이언트, TSSOP-16 | 로체스터 전자제품 LLC | S9S08SG4E2MTGR 대 S9S08SG4E2MTG |
S9S08SG4E2MTGR 마이크로 컨트롤러 및 프로세서 |
8비트, 플래시, 40MHz, 마이크로 컨트롤러, PDSO16 | NXP 반도체 | S9S08SG4E2MTGR 대 S9S08SG4E2MTGR |
S9S08SG4E2VTG 마이크로 컨트롤러 및 프로세서 |
8비트, 플래시, 40MHz, 마이크로 컨트롤러, PDSO16 | NXP 반도체 | S9S08SG4E2MTGR 대 S9S08SG4E2VTG |
MC9S08SG32 장치는 저비용 고성능 HCS08 8비트 마이크로 컨트롤러 단위 (MCU) 의 구성원입니다.MC9S08SG32 시리즈의 고온 장치는 150 °C TA까지 작동 할 수 있도록 AEC 클래스 0 요구 사항을 충족하거나 초과하도록 자격을 얻었습니다.. 가족 내의 모든 MCU는 향상된 HCS08 코어를 사용하고 다양한 모듈, 메모리 크기, 메모리 유형 및 패키지 유형으로 제공됩니다.
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