属性 | 属性値 |
---|---|
製造者 | フリースケール/NXP |
製品カテゴリー | マイクロコントローラー |
シリーズ | S08 |
パッケージ | テープ&ロール (TR) 代替包装 |
単位重量 | 0.002194オンス |
マウントスタイル | SMD/SMT |
パッケージケース | 16-TSSOP (0.173",4.40mm 幅) |
動作温度 | -40°C~125°C (TA) |
供給者 デバイス パッケージ | 16-TSSOP |
I-O の数 | 12 I/O |
スピード | 40MHz |
EEPROM サイズ | - |
コアプロセッサ | S08 |
RAM サイズ | 256 × 8 |
プログラムメモリ | フラッシュ |
周辺機器 | LVD,POR,PWM,WDT |
接続性 | I2C,LIN,SCI,SPI |
電圧供給Vcc-Vdd | 2.7V~5.5V |
コアサイズ | 8ビット |
プログラムメモリ サイズ | 4KB (4K x 8) |
データ変換機 | A/D 8x10b |
オスイレーター型 | 内部 |
最大動作温度 | + 125 C |
動作温度範囲 | - 40°C |
稼働電源電圧 | 2.7Vから5.5V |
インターフェースタイプ | シリアル |
コア | S08 |
データバスの幅 | 8ビット |
供給電圧最大 | 5.5V |
供給電圧-分 | 2.7V |
パッケージケース | TSSOP-16 |
最大 時計周波数 | 40 MHz |
ADCチャンネル数 | 8 ADC チャンネル |
入力/出力 | 12 I/O |
データ RAM サイズ | 256B |
計時器の数 | 2 タイマー |
ADC解析度 | 10ビット |
データRAMタイプ | RAM |
Mfr | NXP USA インク |
パッケージ | テープ&リール (TR) 切断テープ (CT) ディジリール® |
商品の状況 | アクティブ |
接続性 | I2C LINbus SCI SPI |
周辺機器 | LVD POR PWM WDT |
I-O の数 | 12 |
プログラムメモリ型 | フラッシュ |
電圧供給Vcc-Vdd | 2.7V~5.5V |
マウントタイプ | 表面マウント |
パッケージケース | 16-TSSOP (0.173" 4.40mm 幅) |
基本製品番号 | S9S08 |
製造者 パーツ# | 記述 | 製造者 | 比較する |
S9S08SG4E2VTGR マイクロコントローラとプロセッサ |
8ビット,フラッシュ,40MHz,マイクロコントローラー,PDSO16 | NXP半導体 | S9S08SG4E2MTGR 対 S9S08SG4E2VTGR |
S9S08SG4E2CTG マイクロコントローラとプロセッサ |
8ビット,フラッシュ,40MHz,マイクロコントローラー,PDSO16 | NXP半導体 | S9S08SG4E2MTGR 対 S9S08SG4E2CTG |
S9S08SG4E2CTGR マイクロコントローラとプロセッサ |
8ビット,フラッシュ,40MHz,マイクロコントローラー,PDSO16 | NXP半導体 | S9S08SG4E2MTGR 対 S9S08SG4E2CTGR |
S9S08SG4E2MTG マイクロコントローラとプロセッサ |
8ビット,フラッシュ,40MHz,マイクロコントローラー,PDSO16,ROHSコンパイル,TSSOP-16 | ロチェスター・エレクトロニクス | S9S08SG4E2MTGR 対 S9S08SG4E2MTG |
S9S08SG4E2MTGR マイクロコントローラとプロセッサ |
8ビット,フラッシュ,40MHz,マイクロコントローラー,PDSO16 | NXP半導体 | S9S08SG4E2MTGR 対 S9S08SG4E2MTGR |
S9S08SG4E2VTG マイクロコントローラとプロセッサ |
8ビット,フラッシュ,40MHz,マイクロコントローラー,PDSO16 | NXP半導体 | S9S08SG4E2MTGR 対 S9S08SG4E2VTG |
MC9S08SG32デバイスは,低コストで高性能な8ビットマイクロコントローラユニット (MCU) のHCS08ファミリーのメンバーである.MC9S08SG32シリーズ高温装置は,AECグレード0の要件を満たすまたは超える資格があり,最大150°CTAまで動作することができます.このファミリーのMCUはすべて強化されたHCS08コアを使用し,さまざまなモジュール,メモリサイズ,メモリタイプ,パッケージタイプで提供されています.
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