HIP6602BCR 전원관리 ICs 게이트 DRVR 하프-브리지 16QFN

                                                    HIP6602BCR 데이터 시트

제품 상세정보

HIP6602B는 고주파입니다, 두 전력 채널 MOSFET 운전자가 특히 동시에 일어나는 정류된 강압형 컨버터 토폴로지에서 네 전기 엔-채널 모스페트스를 운전하기를 계획했습니다. 이 장치는 또한 14 리드 SOIC에 이용할 수 있거나 16이 열띠게 패드와 QFN 패키지가 패키지를 강화하도록 유도합니다. 이러한 드라이버는 HIP63xx와 결합했거나 다단계 달러 PWM 제어부들과 MOSFET의 ISL65xx 시리즈가 고도 마이크로프로세서를 위한 완전한 중심부 전압 규제 기관 솔루션을 형성합니다.

HIP6602B는 5V 내지 12V의 범위에 걸쳐 둘다 상위이고 하층 게이트를 운전합니다. 이 구동 전압 유연성은 스위칭 로스와 도통 손실 사이에 거래와 연관된 최적화 애플리케이션의 장점을 제공합니다.
HIP6602B의 출력 드라이버는 효율적으로 고주파로 파워 모스펫을 바꿀 수 있는 능력을 가지고 있습니다. 각각 드라이버는 30 나노 초 전달 지연과 50 나노 초 전이시간과 3000pF 로드를 운전할 수 있습니다. 이 장치는 한 개의 외부 캐패시터와 저항기가 각각 전력 채널에 요구된 채로 상부 게이트에 부트스트래핑을 구현합니다. 이것은 구현 복잡도를 감소시키고, 더 높은 성능, 효과적인 비용, 엔-채널 MOSFET의 사용을 허용합니다. 적응할 수 있는 슈트 쓰루우 보호는 양쪽 MOSFET이 동시에 통하는 것을 예방하도록 통합됩니다.

특징

오우 드라이브 4 엔-채널 MOSFET
오우 적응할 수 있는 슈트 쓰루우 보호
오우 내부의 띄우기 장치
오우 지지 높은 전환 주파수
- 빠른 출력 상승 시간
- 전달 지연 30 나노 초
오우 작은 14-리드 SOIC 패키지
오우 작은 16-리드 QFN 열띠게 강화된 패키지
최적 효율을 위한 오우 5V 내지 12V 게이트 드라이브 전압
브릿지 셧다운을 위한 오우 트리-스테이트 입력
오우 공급 부족 전압 보호
오우 Pb-프리 플러스 가열냉각 이용 가능한 (로에스 순응합니다)
오우 QFN 패키지 :
- JEDEC PUB95 MO-220 QFN에 순응하 - 쿼드 플랫은 아니오 이릅니다 - 패키지 아웃라인
- 니어 칩 스케일 패키지 발자국, 그것이 PCB 효율성을 향상시키고, 희석제 프로필을 가지고 있습니다

애플리케이션
인텔 Pentium® 3세와 AMD® 아스론티엠 마이크로프로세서를 위한 오우 중심부 전압 공급.
오우 고주파, 저자세 DC / dc 컨버터
오우 고전류, 저전압 DC / dc 컨버터

상술

형식, 패키지, 기능적 호환 성분

기술

16 QFN-EP (5x5)를 반전시키지 않는 하프-브리지 게이트 드라이버 IC

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FAQ
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