HIP6602BCR力管理ICゲートDRVR HALF-BRIDGE 16QFN

                                                    HIP6602BCRのデータ用紙

プロダクト細部

HIP6602Bは高周波、2つの力チャネルMOSFETの運転者とりわけ同期調整された木びき台のコンバーターの地勢学の4つの力のN-ChannelのMOSFETsを運転するように設計したである。この装置はで利用できる14鉛SOICか熱的にパッケージを高めるパッドが付いている16鉛QFNのパッケージ。これらの運転者はHIP63xxと結合したまたはISL65xxの一連の多相木びき台PWMのコントローラーおよびMOSFETsは高度マイクロプロセッサのための完全な中心の電圧安定器の解決を形作る。

HIP6602Bは5Vに12Vの範囲上の上部および下のゲートを運転する。このドライブ電圧柔軟性は転換の損失と伝導の損失間のトレードオフを含む適用を最大限に活用する利点を提供する。
HIP6602Bの出力運転者に効率的に高周波で力のMOSFETsを転換する容量がある。各運転者は30ns伝搬遅延および50ns遷移時間の3000pF負荷を運転することができる。この装置は各力チャネルに必要な単一の外的なコンデンサーおよび抵抗器を搭載する上部のゲートのブートストラップを実行する。これは実施の複雑さを減らし、費用効果が大きい高性能の使用N-ChannelのMOSFETsを可能にする。保護シュートによって適応性があるMOSFETsが両方とも同時に行なうことを防ぐために統合される。

特徴

•4つのN-ChannelのMOSFETsを運転する
•保護シュートによって適応性がある
•内部ブートストラップ装置
•高い転換の頻度を支える
- 速い出力上昇時間
- 伝搬遅延30ns
•小さい14鉛SOICのパッケージ
•より小さい16鉛QFNは熱的にパッケージを高めた
•最適の効率のための12Vゲート ドライブ電圧への5V
•橋操業停止のために入る3州
•供給の不足電圧の保護
•Pbなしのプラスは利用できるアニールする（迎合的なRoHS）
•QFNのパッケージ:
- JEDEC PUB95 MO-220 QFN -クォードの平たい箱に迎合的鉛無し-パッケージの輪郭
- PCBの効率を改善し、より薄いプロフィールがある破片のスケールのパッケージの足跡の近く、

適用
•Intel Pentium® IIIおよびAMD® Athlon™マイクロプロセッサのための中心の電圧供給。
•高周波の、薄型DC/DCのコンバーター
•High-Current、低電圧DC/DCのコンバーター

指定

形態、パッケージ、機能多用性がある部品

記述

半橋ゲートの運転者IC非逆になる16-QFN-EP （5x5）

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