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| 원래 장소 | 전화 |
| 브랜드 이름 | Texas Instruments |
| 인증 | ROHS |
| 모델 번호 | SN74HCU04DR |
SN74HCU04DR 데이터 시트쿼드 2-입력 낸드 게이트
오우 ESD > 3500 볼트
상술
| 특성 | 속성 값 |
|---|---|
| 제조사 | 텍사스 인스트루먼츠 사 |
| 상품 카테고리 | 게이트와 인버터 |
| 시리즈 | 74HCU |
| 패키징 | 교대 패키징 |
| 단일 가중치 | 0.004318 온스 |
| 증가하는 방식 | SMD / SMT |
| 작동 온도 범위 | - + 85 Ｃ에 대한 40 Ｃ |
| 포장 케이스 | 14 SOIC (0.154 ", 3.90 밀리미터 폭) |
| 입력 유형 | CMOS |
| 작동 온도 | -40' Ｃ ~ 85' Ｃ |
| 설치형 | 표면 부착 |
| 출력형 | CMOS |
| 특징 | - |
| 전압 공급 | 2 Ｖ ~ 6 Ｖ |
| 공급 툴 장치 패키지 | 14-soic |
| 회로의 수 | 6 회로 |
| 입력 횟수 | 6개 입력 |
| 정지 전류 | 2μA |
| 현 생산량 최고 최저치 | 5.2mA, 5.2mA |
| 최대 증식 지연 Ｖ 최대 CL | 6V, 50pF에 있는 14 나노 초 |
| 논리형 | 인버터 |
| 논리 레벨 로우 | 0.5 Ｖ ~ 1.8 Ｖ |
| 논리레벨 하이 | 1.7 Ｖ ~ 4.8 Ｖ |
| 최대 작업 온도 | + 85 Ｃ |
| 작동 온도 범위 | - 40 Ｃ |
| 공급 전압 최대 | 6 Ｖ |
| 공급 전압 분 | 2 Ｖ |
| 포장 케이스 | SOIC-14 |
| 논리 집단 | HC |
| 전달 지연 | 20 나노 초 |
| 높은 수준의 출력 경향 | - 4 마 |
| 낮은 수준 생산량 경향 | 4 마 |
형식, 패키지, 기능적 호환 성분
| 제조사 Part# | 기술 | 제조사 | 비교 |
| 74HCU04D 논리 |
인버터, HC / 어 시리즈, 6-Func, 1-입력, CMOS, PDSO14 | 넥스페리아 | SN74HCU04DR 대 74HCU04D |
| MC74HCU04ADR2G 논리 |
비완충된 헥사 인버터, SOIC-14 NB, 2500-릴 | ON 반도체 | SN74HCU04DR 대 MC74HCU04ADR2G |
| 74HCU04D,653 논리 |
74HCU04 - 마법 비완충된 인버터 SOIC 14-핀 | 넥스페리아 | SN74HCU04DR 대 74HCU04D,653 |
| MM74HCU04MX 논리 |
헥사 인버터, 2500-릴 | ON 반도체 | SN74HCU04DR 대 MM74HCU04MX |
| MM74HCU04M 논리 |
헥사 인버터, 1100-tube | ON 반도체 | SN74HCU04DR 대 MM74HCU04M |
| SN74HCU04D 논리 |
헥사 인버터 14-soic -40 내지 85 | 텍사스 인스트루먼츠 사 | SN74HCU04DR 대 SN74HCU04D |
| CD74HCU04M 논리 |
고속도 CMOS 논리 헥사 인버터 14-soic -55 내지 125 | 텍사스 인스트루먼츠 사 | SN74HCU04DR 대 CD74HCU04M |
| MC74HCU04ADG 논리 |
비완충된 헥사 인버터, SOIC-14 NB, 55-튜브 | ON 반도체 | SN74HCU04DR 대 MC74HCU04ADG |
| CD74HCU04M96 논리 |
고속도 CMOS 논리 헥사 인버터 14-soic -55 내지 125 | 텍사스 인스트루먼츠 사 | SN74HCU04DR 대 CD74HCU04M96 |
| 74HCU04D,652 논리 |
74HCU04 - 마법 비완충된 인버터 SOIC 14-핀 | 넥스페리아 | SN74HCU04DR 대 74HCU04D,652 |
기술
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