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| 起源の場所 | 呼出し |
| ブランド名 | Texas Instruments |
| 証明 | ROHS |
| モデル番号 | SN74HCU04DR |
SN74HCU04DRのデータ用紙クォードの2入力否定論履積ゲート
•ESD > 3500ボルト
指定
| 属性 | 属性値 |
|---|---|
| 製造業者 | テキサス・インスツルメント |
| 製品カテゴリ | ゲートおよびインバーター |
| シリーズ | 74HCU |
| 包装 | 互い違いの包装 |
| 単位重量 | 0.004318 oz |
| 土台式 | SMD/SMT |
| 作動温度範囲 | - + 85 Cへの40 C |
| パッケージ場合 | 14-SOIC （0.154"、3.90mmの幅） |
| 入力タイプ | CMOS |
| 作動温度 | -40°C | 85°C |
| 土台タイプ | 表面の台紙 |
| 出力タイプ | CMOS |
| 特徴 | - |
| 電圧供給 | 2ボルト| 6ボルト |
| 製造者装置パッケージ | 14-SOIC |
| 数の回路 | 6つの回路 |
| 数の入力 | 6つの入力 |
| 静止流れ | 2μA |
| 現在出力高低い | 5.2mA、5.2mA |
| 最高伝播遅れV最高CL | 14ns @ 6V、50pF |
| 論理タイプ | インバーター |
| 論理レベル低い | 0.5ボルト| 1.8ボルト |
| 論理レベルの高さ | 1.7 V | 4.8ボルト |
| 最高使用可能温度 | + 85 C |
| 実用温度範囲 | - 40 C |
| 供給電圧最高 | 6ボルト |
| 供給電圧分 | 2ボルト |
| パッケージ場合 | SOIC-14 |
| 論理家族 | HC |
| 伝搬遅延 | 20 ns |
| 出力現在の高レベル- | - 4 mA |
| 低レベル出力現在 | 4 mA |
形態、パッケージ、機能多用性がある部品
| Part#製造業者 | 記述 | 製造業者 | 比較しなさい |
| 74HCU04D 論理 |
インバーター、1入力6機能、HC/UHシリーズCMOS、PDSO14 | Nexperia | SN74HCU04DR対74HCU04D |
| MC74HCU04ADR2G 論理 |
Unbuffered六角形のインバーター、SOIC-14 NB、2500-REEL | オン・セミコンダクター | SN74HCU04DR対MC74HCU04ADR2G |
| 74HCU04D、653 論理 |
74HCU04 -六角形のunbufferedインバーターSOIC 14 Pin | Nexperia | SN74HCU04DR対74HCU04D、653 |
| MM74HCU04MX 論理 |
六角形のインバーター、2500-REEL | オン・セミコンダクター | SN74HCU04DR対MM74HCU04MX |
| MM74HCU04M 論理 |
六角形のインバーター、1100-TUBE | オン・セミコンダクター | SN74HCU04DR対MM74HCU04M |
| SN74HCU04D 論理 |
六角形のインバーター14-SOIC -40に85 | テキサス・インスツルメント | SN74HCU04DR対SN74HCU04D |
| CD74HCU04M 論理 |
高速CMOSの論理の六角形のインバーター14-SOIC -55に125 | テキサス・インスツルメント | SN74HCU04DR対CD74HCU04M |
| MC74HCU04ADG 論理 |
Unbuffered六角形のインバーター、SOIC-14 NB、55-TUBE | オン・セミコンダクター | SN74HCU04DR対MC74HCU04ADG |
| CD74HCU04M96 論理 |
高速CMOSの論理の六角形のインバーター14-SOIC -55に125 | テキサス・インスツルメント | SN74HCU04DR対CD74HCU04M96 |
| 74HCU04D、652 論理 |
74HCU04 -六角形のunbufferedインバーターSOIC 14 Pin | Nexperia | SN74HCU04DR対74HCU04D、652 |
記述
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