제품 상세정보
100 볼트 현재 2.0 암페어에 대한 전압 범위 20
* 표면설치 애플리케이션에 이상적입니다
* 저누설 전류
* 메탈룰르기카리 사로잡힌 구조
* 장착은 다음을 배치합니다 누구
* 다음에 짓누릅니다 0.098 그램
상술
| 특성 | 속성 값 |
|---|---|
| 제조사 | 싸이프레스 반도체 |
| 상품 카테고리 | 메모리 ics |
| 시리즈 | F-RAMTM |
| 패키징 | 컷 테이프 (CT) |
| 단일 가중치 | 0.078125 온스 |
| 증가하는 방식 | SMD / SMT |
| 작동 온도 범위 | - + 85 C에 대한 40 C |
| 포장 케이스 | 28 SOIC (0.295 ", 7.50 밀리미터 폭) |
| 작동 온도 | -40' C ~ 85' C (TA) |
| 인터페이스 | 대비 |
| 전압 공급 | 2 V ~ 3.6 V |
| 공급 툴 장치 패키지 | 28-soic |
| 기억장치 용량 | 256K (32K x 8) |
| 메모리식 | 프람 (강유전체 RAM) |
| 속도 | 70 나노 초 |
| 엑세스 시간 | 60 나노 초 |
| 포맷 메모리 | RAM |
| 최대 작업 온도 | + 85 C |
| 작동 온도 범위 | - 40 C |
| 운영상 공급 전압 | 3.3 V |
| 인터페이스 타입 | 대비 |
| 조직 | 32 K X 8 |
| 포장 케이스 | SOIC-28 |
| 제조사 Part# | 기술 | 제조사 | 비교 |
| MB85RS256APNF-G-JNE1 | 메모리 회로, 32KX8, CMOS, PDSO8, SOP-8 | 제한된 후지쯔 | FM28V020-SGTR 대 MB85RS256APNF-G-JNE1 |
| 메모리 | |||
| MR25H256CDC | 메모리 회로, 32KX8, CMOS, PDSO8, 5 X 6 밀리미터, 순응한 ROHS, MO-229, DFN-8 | 에버스핀 기술 | FM28V020-SGTR 대 MR25H256CDC |
| 메모리 | |||
| FM28V020 TG | 메모리 회로, 32KX8, CMOS, PDSO32, 8 X 13.40 밀리미터, 그린, TSOP1-32 | 싸이프레스 반도체 | FM28V020-SGTR 대 FM28V020-TG |
| 메모리 | |||
| FM25V02 G | 메모리 회로, 32KX8, CMOS, PDSO8, 그린, MS-012AA, SOIC-8 | 램트론 인터내셔널 코퍼레이션 | FM28V020-SGTR 대 FM25V02-G |
| 메모리 | |||
| FM25V02-GTR | 메모리 회로, 32KX8, CMOS, PDSO8, 그린, MS-012AA, SOIC-8 | 램트론 인터내셔널 코퍼레이션 | FM28V020-SGTR 대 FM25V02-GTR |
| 메모리 | |||
| FM28V020 SG | 메모리 회로, 32KX8, CMOS, PDSO28, 그린, MS-013DAE, SOIC-28 | 싸이프레스 반도체 | FM28V020-SGTR 대 FM28V020-SG |
| 메모리 | |||
| FM28V020-TGTR | 메모리 회로, 32KX8, CMOS, PDSO32, 8 X 13.40 밀리미터, 그린, TSOP1-32 | 싸이프레스 반도체 | FM28V020-SGTR 대 FM28V020-TGTR |
| 메모리 |
기술
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