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| 起源の場所 | 呼出し |
| ブランド名 | Cypress Semiconductor |
| 証明 | ROHS |
| モデル番号 | FM28V020-SGTR |
プロダクト細部
電圧は現在の2.0アンペア20から100ボルトの及ぶ
*表面の取付けられた適用のための理想
*低い漏出流れ
*冶金学的に担保付きの構造
*取付け位置:
*重量:0.098グラム
指定
| 属性 | 属性値 |
|---|---|
| 製造業者 | Cypressの半導体 |
| 製品カテゴリ | 記憶IC |
| シリーズ | F-RAM™ |
| 包装 | 切りなさいテープ（CT）を |
| 単位重量 | 0.078125 oz |
| 土台式 | SMD/SMT |
| 作動温度範囲 | - + 85 Cへの40 C |
| パッケージ場合 | 28-SOIC （0.295"、7.50mmの幅） |
| 作動温度 | -40°C | 85°C （TA） |
| インターフェイス | 平行 |
| 電圧供給 | 2ボルト| 3.6ボルト |
| 製造者装置パッケージ | 28-SOIC |
| 記憶容量 | 256K （32K X 8） |
| 記憶タイプ | FRAM （Ferroelectric RAM） |
| 速度 | 70ns |
| アクセス時間 | 60 ns |
| フォーマット記憶 | RAM |
| 最高使用可能温度 | + 85 C |
| 実用温度範囲 | - 40 C |
| 作動供給電圧 | 3.3 V |
| インターフェイス タイプ | 平行 |
| 構成 | 32 k X 8 |
| パッケージ場合 | SOIC-28 |
| Part#製造業者 | 記述 | 製造業者 | 比較しなさい |
| MB85RS256APNF-G-JNE1 | 記憶回路、32KX8、CMOS、PDSO8、SOP-8 | 限られる冨士通 | FM28V020-SGTR対MB85RS256APNF-G-JNE1 |
| 記憶 | |||
| MR25H256CDC | 記憶回路、32KX8、CMOS、PDSO8、5つx 6つのMM、MO-229迎合的な、ROHS DFN-8 | Everspinの技術 | FM28V020-SGTR対MR25H256CDC |
| 記憶 | |||
| FM28V020-TG | 記憶回路、32KX8、CMOS、MM緑PDSO32、8つx 13.40 TSOP1-32 | Cypressの半導体 | FM28V020-SGTR対FM28V020-TG |
| 記憶 | |||
| FM25V02-G | 記憶回路、32KX8、CMOS、MS-012AA緑、PDSO8 SOIC-8 | Ramtron International Corporation | FM28V020-SGTR対FM25V02-G |
| 記憶 | |||
| FM25V02-GTR | 記憶回路、32KX8、CMOS、MS-012AA緑、PDSO8 SOIC-8 | Ramtron International Corporation | FM28V020-SGTR対FM25V02-GTR |
| 記憶 | |||
| FM28V020-SG | 記憶回路、32KX8、CMOS、MS-013DAE緑、PDSO28 SOIC-28 | Cypressの半導体 | FM28V020-SGTR対FM28V020-SG |
| 記憶 | |||
| FM28V020-TGTR | 記憶回路、32KX8、CMOS、MM緑PDSO32、8つx 13.40 TSOP1-32 | Cypressの半導体 | FM28V020-SGTR対FM28V020-TGTR |
| 記憶 |
記述
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