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| 원래 장소 | 전화 |
| 브랜드 이름 | VISHAY |
| 인증 | ROHS |
| 모델 번호 | SI5463EDC-T1-E3 |
SI5463EDC-T1-E3 데이터 시트
제품 상세정보
오우 무할로겐 IEC 61249-2-21 정의에 따라
오우 TrenchFET® 파워 모스펫
오우 2.5 Ｖ 평가됩니다
로에스 지시 2002/95/EC에 순응한 오우
상술
| 특성 | 속성 값 |
|---|---|
| 제조사 | 비샤이 |
| 상품 카테고리 | FET - 단일 |
| 범주 | 트랜지스터 - 페트스, 모스페트스는 - 단타를 날립니다 |
| 제조사 | 비샤이 실아이코닉스 |
| 시리즈 | - |
| 패키징 | 컷 테이프 (CT) |
| 부분적 상태 | 퇴역항공기 |
| 전계 효과 트랜지스터형 | P-채널 |
| 기술 | MOSFET (금속 산화물) |
| 원천 전압 VDS에 고갈되세요 | 20V |
| Current-Continuous-Drain-Id-25' Ｃ | 3.8A (Ta) |
| 드라이브-볼타게-막스-르드스-온-민-르드스-온 | 1.8V, 4.5V |
| 브그스 -스 최대 ID | 250에 있는 450mV?(민) |
| 게이트전하 -큐그 최대 -브그스 | 4.5V에 있는 15nC |
| 브그스 최대 | ±12V |
| FET 특징 | - |
| 전력 소모 최대 | 1.25W (Ta) |
| Rds ON 상태 최대 ID -브그스 | 4A, 4.5V에 있는 62 모흠 |
| 작동 온도 | -55' Ｃ ~ 150' Ｃ (TJ) |
| 설치형 | 표면 부착 |
| 공급 툴 장치 패키지 | 1206-8 칩페트? |
| 포장 케이스 | 8-SMD, 플랫 리드 |
기술
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