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SI5463EDC-T1-E3トランジスターMOSFETはALT 78-SI5457DC-T1-GE3を推薦した
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SI5463EDC-T1-E3トランジスターMOSFETはALT 78-SI5457DC-T1-GE3を推薦した

起源の場所 呼出し
ブランド名 VISHAY
証明 ROHS
モデル番号 SI5463EDC-T1-E3
製品詳細
製品名:
SI5463EDC-T1-E3
条件:
原物100%
設置methodpe:
MOSFET P-CH 20V 3.8A 1206-8
パッケージ:
8-SMDの平らな鉛
電圧-供給:
国際規格
最高。逆の流れ:
国際規格
適用:
単一トランジスター- MOSFETsのFETs -
製品の説明

                                                                  SI5463EDC-T1-E3トランジスターMOSFETはALT 78-SI5457DC-T1-GE3を推薦した 0SI5463EDC-T1-E3データ用紙
プロダクト細部

特徴

•IEC 61249-2-21定義に従ってハロゲンなし
•TrenchFET®力MOSFET
•2.5評価されるV
•RoHS指導的な2002/95/ECに迎合的

 

指定

               
属性 属性値
製造業者 VISHAY
製品カテゴリ 単一FETs -
部門 単一トランジスター- FETs、MOSFETs -
製造業者 Vishay Siliconix
シリーズ -
包装切りなさいテープ(CT)を
一部状態時代遅れ
FETタイプP-Channel
技術MOSFET (金属酸化物)
下水管に源電圧Vdss 20V
現在連続的下水管ID25°C3.8A (Ta)
ドライブ電圧最高Rds分Rds 1.8V、4.5V
Vgs Th最高ID 450mV @ 250か。A (分)
ゲート充満Qg最高Vgs 15nC @ 4.5V
Vgs最高 ±12V
FET特徴-
パワー消滅最高1.25W (Ta)
Rds最高IDVgs 62 mOhm @ 4A、4.5V
作動温度-55°C | 150°C (TJ)
土台タイプ 表面の台紙
製造者装置パッケージ 1206-8のChipFETか。
パッケージ場合 8-SMDの平らな鉛
 

記述

P-Channel 20V 3.8A (Ta)の1.25W (Ta)表面の台紙1206-8のChipFETか。

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Q:あなたのプロダクトを買う方法か。
:私達の会社からのプロダクトを直接買うことができる。通常プロシージャはあなたの国に配達に印契約、T/Tによる支払、連絡する運送会社に商品である。
Q:保証は何であるか。
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