SI5463EDC-T1-E3データ用紙
プロダクト細部
•IEC 61249-2-21定義に従ってハロゲンなし
•TrenchFET®力MOSFET
•2.5評価されるV
•RoHS指導的な2002/95/ECに迎合的
指定
属性 | 属性値 |
---|---|
製造業者 | VISHAY |
製品カテゴリ | 単一FETs - |
部門 | 単一トランジスター- FETs、MOSFETs - |
製造業者 | Vishay Siliconix |
シリーズ | - |
包装 | 切りなさいテープ(CT)を |
一部状態 | 時代遅れ |
FETタイプ | P-Channel |
技術 | MOSFET (金属酸化物) |
下水管に源電圧Vdss | 20V |
現在連続的下水管ID25°C | 3.8A (Ta) |
ドライブ電圧最高Rds分Rds | 1.8V、4.5V |
Vgs Th最高ID | 450mV @ 250か。A (分) |
ゲート充満Qg最高Vgs | 15nC @ 4.5V |
Vgs最高 | ±12V |
FET特徴 | - |
パワー消滅最高 | 1.25W (Ta) |
Rds最高IDVgs | 62 mOhm @ 4A、4.5V |
作動温度 | -55°C | 150°C (TJ) |
土台タイプ | 表面の台紙 |
製造者装置パッケージ | 1206-8のChipFETか。 |
パッケージ場合 | 8-SMDの平らな鉛 |
記述
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