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| 원래 장소 | 전화 |
| 브랜드 이름 | VISHAY |
| 인증 | ROHS |
| 모델 번호 | SI7940DP-T1-GE3 |
SI7940DP-T1-GE3 데이터 시트
제품 상세정보
상술
| 특성 | 속성 값 |
|---|---|
| 제조사 | ROHM |
| 상품 카테고리 | FET - 배열 |
| 시리즈 | TrenchFET® |
| 패키징 | |
| 포장 케이스 | 파워파크르 SO-8 듀얼 |
| 작동 온도 | -55' Ｃ ~ 150' Ｃ (TJ) |
| 설치형 | 표면 부착 |
| 공급 툴 장치 패키지 | 파워파크르 SO-8 듀얼 |
| 전계 효과 트랜지스터형 | (이원적인) 2 엔-채널 |
| 전원 최대 | 1.4W |
| VDSS - 드레인-소스 전압 | 12V |
| 입력 커패시턴스 | - |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이츠 |
| Current-Continuous-Drain-Id-25' Ｃ | 7.6A |
| Rds ON 상태 최대 ID -브그스 | 11.8A, 4.5V에 있는 17 모흠 |
| 브그스 -스 최대 ID | 250μA에 있는 1.5V |
| 게이트전하 -큐그 -브그스 | 4.5V에 있는 17nC |
기술
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