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| 起源の場所 | 呼出し |
| ブランド名 | VISHAY |
| 証明 | ROHS |
| モデル番号 | SI7940DP-T1-GE3 |
SI7940DP-T1-GE3データ用紙
プロダクト細部
指定
| 属性 | 属性値 |
|---|---|
| 製造業者 | ROHM |
| 製品カテゴリ | FETs -配列 |
| シリーズ | TrenchFET® |
| 包装 | |
| パッケージ場合 | 二重PowerPAKR SO-8 |
| 作動温度 | -55°C | 150°C （TJ） |
| 土台タイプ | 表面の台紙 |
| 製造者装置パッケージ | 二重PowerPAKR SO-8 |
| FETタイプ | 2 N-Channel （二重） |
| パワー最高 | 1.4W |
| VDSS –下水管源の電圧 | 12V |
| 入れられたキャパシタンス | - |
| FET特徴 | 論理のレベルのゲート |
| 現在連続的下水管ID25°C | 7.6A |
| Rds最高IDVgs | 17 mOhm @ 11.8A、4.5V |
| Vgs Th最高ID | 1.5V @ 250μA |
| ゲート充満Qg Vgs | 17nC @ 4.5V |
記述
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