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| 원래 장소 | 전화 |
| 브랜드 이름 | Renesas |
| 인증 | ROHS |
| 모델 번호 | ISL6612CRZ |
제품 상세정보
ISL6334B, 최고 4를 운전하는 것에 의한 ISL6334C 마이크로프로세서 제어 중심부 전압 규제는 평행하게 동시에 일어나는 정류된 달러 채널에 백지를 끼워넣었습니다. 이 다중상 구조는 곱하는 채널 리플 주파수와 감량 입출력 리플 전류의 결과가 됩니다. 더 낮은 잔물결은 더 적은 부품, 낮은 비용, 감소 전력 분산과 더 작은 이행 영역의 결과가 됩니다.
마이크로프로세서 로드는 극단적으로 빠른 에지율로 부하 과도현상을 생성하고 저 부하에 고효율을 요구할 수 있습니다. ISL6334B, ISL6334C가 인터실의 독점적 활동적 펄스 포지셔닝 (APP), 적응할 수 있는 위상 배열 (APA) 변조 스킴을 이용한다고 활성 단계는 덧붙입니다고
떨어지는 것 더 적은 출력 커패시터와 극단적으로 빠른 과도 응답과 빛부터 전부하까지 고효율을 달성하고 유지합니다.
오우 인텔 VR11.1 순응합니다
오우 h_cpurst_n 입력이 인텔의 적절한 PSI# 운영의 이글레이크 칩셋트 플랫폼을 위한 필요한 익스텐시브 외부 회로를 제거합니다
오우 독점적 활동적인 펄스 위치설정 (APP)와 적응할 수 있는 위상 배열 (APA) 변조 스킴
강화한 저 부하 효율을 위한 다이오드 대리 실행 계획으로 추가되고 떨어지는 오우 독점적 활성 단계
오우 정확성 멀티페이즈 중심부 전압 규정
- 차이 원격전압측정
- ±0.5% 폐쇄 회로 방식 정확도 과부하, 라인과 온도
- 양방향이, 조정할 수 있는 기준 전압 벌충
오우 정확성 레지스토로르 DCR 차동 전류 감지
- 정확한 로드 라인 (축 늘어짐) 프로그래밍
- 정확한 채널 전류 평형화
- 정확한 부하 전류가 아이몬 핀을 통하여 감시합니다
오우 마이크로프로세서 전압 식별 입력
- VR11.1 요구조건을 위한 동적 VIDTM 기술
- 8-비트 비디오, 적합한 VR11
오우 평균 과전류 보호와 채널 전류 한계
아이몬 핀 위의 오우 정확성 과전류 보호
오우 연 모니터링과 과전압 보호
오우 통합된 프로그램 가능한 온도 보상
오우 통합된 열린 감지 라인 보호
4-단계 작동, 결합 인덕터 호환성에 대한 오우 1
단계 당 오우 조정할 수 있는 전환 주파수 최고 1MHz
오우 패키지 옵션
- JEDEC PUB95 MO-220 QFN에 순응한 QFN - 쿼드 플랫은 아니오 이릅니다 - 제품 개요
오우 Pb-프리 (로에스 순응하 )
상술
| 특성 | 속성 값 |
|---|---|
| 제조사 | 르네사스 |
| 상품 카테고리 | 게이트 드라이버 |
| 시리즈 | ISL6612C |
| 타입 | 하프-브리지 |
| 패키징 | 튜브 교대 패키징 |
| 증가하는 방식 | SMD / SMT |
| 포장 케이스 | 표면 부착 |
| 작동 온도 | 26 나노 초, 18 나노 초 |
| 설치형 | 0' Ｃ ~ 125' Ｃ (TJ) |
| 특징 | 독립형 |
| 공급 툴 장치 패키지 | 10-VFDFN 노출된 패드 |
| 결의안 비트 | 2 |
| 데이터 인터패이스 | 동시에 일어납니다 |
| 전압 공급 아날로그 | 비반전 |
| 전압 공급 디지털 | 36V |
| 구성 | 반전하는 비반전 |
| -아d스 DACS의 수 | |
| 시그마-델타 | 10.8 Ｖ ~ 13.2 Ｖ |
| S-N-라티오-아d스-다크스-드비-티피 | - |
| 다이내믹 레인지 -아d스 DACS DB (데시벨) typ | 1.25A, 2A |
| 산출 번호 | 2개 출력 |
| 최대 작업 온도 | + 85 Ｃ |
| 작동 온도 범위 | 0 Ｃ |
| 출력 전류 | 3 A |
| 낙하 시간 | 18 나노 초 |
| 오름시간 | 26 나노 초 |
| 공급 전압 최대 | 13.2 Ｖ |
| 포장 케이스 | DFN-EP-10 |
| 운전자들의 번호 | 2개 드라이버 |
기술
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