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| 起源の場所 | 呼出し |
| ブランド名 | Renesas |
| 証明 | ROHS |
| モデル番号 | ISL6612CRZ |
プロダクト細部
ISL6334Bの入れ込まれた4つまで運転によるISL6334C制御マイクロプロセッサ中心の電圧調整は木びき台チャネルを並行して同期調整した。このチャネルのさざ波の頻度を増加し、入出力さざ波の流れを減らすことの多相建築の結果。少数の部品、低価格の、減らされた電力損失およびより小さい実施区域のより低いさざ波の結果。
マイクロプロセッサ負荷は非常に速い端率の負荷トランジェントを発生させ、軽い負荷で高性能を要求できる。ISL6334B、ISL6334CはIntersilの専有活動的な脈拍の位置（APP）、適応性がある段階の直線（APA）調節機構、加える活動的な段階を利用する
少数の出力コンデンサーとの非常に速い過渡応答およびライトからの満載への高性能を達成し、維持する低下。
•迎合的なIntel VR11.1
•H_CPURST_NはIntelのEaglelakeのチップセットのプラットホームの適切なPSI#操作のための必須の広範で外的な回路部品を除去するために入った
•専有活動的な脈拍の位置（APP）および適応性がある段階の直線（APA）調節機構
•高められた軽い積載効率のためのダイオードの模範化の機構と加え、落ちる専有活動的な段階
•精密多相中心の電圧調整
- 差動遠隔電圧感知
- ±0.5%のOver Load、ラインおよび温度クローズド・ループ組み合わせ精度
- 二方向、調節可能な参照電圧オフセット
•精密Resistoror DCRの差動現在の感知
- 正確な負荷ライン（下垂）のプログラミング
- 正確なチャネル現在にバランスをとること
- IMON Pinによる正確な負荷現在の監視
•マイクロプロセッサ電圧同一証明の入力
- VR11.1条件のための動的VID™の技術
- 8ビットVID、互換性があるVR11
•平均過電流保護およびチャンネル電流の限界
•IMON Pinの精密過電流保護
•熱監視および過電圧の保護
•統合されたプログラム可能な温度修正
•統合された開いた読出し線保護
•4段階操作への1、つながれた誘導器両立性
•段階ごとの1MHzまでの調節可能な転換の頻度
•パッケージの選択
- JEDEC PUB95 MO-220 QFN -クォードの平たい箱迎合的なQFN鉛無し-にプロダクト輪郭
•Pbなし（迎合的なRoHS）
指定
| 属性 | 属性値 |
|---|---|
| 製造業者 | Renesas |
| 製品カテゴリ | ゲートの運転者 |
| シリーズ | ISL6612C |
| タイプ | 半橋 |
| 包装 | 管の互い違いの包装 |
| 土台式 | SMD/SMT |
| パッケージ場合 | 表面の台紙 |
| 作動温度 | 26ns、18ns |
| 土台タイプ | 0°C | 125°C （TJ） |
| 特徴 | 独立した |
| 製造者装置パッケージ | 10-VFDFNはパッドを露出した |
| 決断ビット | 2 |
| データ インターフェイス | 同期 |
| 電圧供給アナログ | 非逆になること |
| 電圧供給デジタル | 36V |
| 構成 | 非逆になることを逆にすること |
| 数のADCsDACs | |
| シグマ デルタ | 10.8 V | 13.2ボルト |
| S N比率ADCs DACs dbTyp | - |
| 動的範囲ADCs DACs dbTyp | 1.25A、2A |
| 数の出力 | 2出力 |
| 最高使用可能温度 | + 85 C |
| 実用温度範囲 | 0 C |
| 出力現在 | 3 A |
| 落下時間 | 18 ns |
| 立上り時間 | 26 ns |
| 供給電圧最高 | 13.2 V |
| パッケージ場合 | DFN-EP-10 |
| 数の運転者 | 2運転者 |
記述
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