M29W640GT70NA6E 메모리 ics NOR 플래시 대비 64Mbit 16 48/48 TSOP

                                                                  M29W640GT70NA6E 데이터 시트

제품 상세정보

요약 설명

M29W640D는 읽히고, 없어지고 재프로그램될 수 있는 64개 메가비트 (8Mb x8 또는 4Mb x16) 비휘활성 메모리입니다. 이러한 수술은 한 개의 저전압 (2.7 내지 3.6V) 공급을 사용하여 수행될 수 있습니다. 전원공급에 메모리는 그것의 읽기 모드에 이행하지 않습니다.
메모리가 독립적으로 없어질 수 있는 블록으로 분할되어서 기존 데이터가 없어지는 동안 유효 데이터를 보존하는 것은 가능합니다. 블록은 메모리를 변경하는 것으로부터 우연적 프로그램을 방지하거나 사령부를 없애기 위해, 256 키로바이트 (일반적으로 4 키로바이트 블록의 그룹)의 단위로 보호받을 수 있습니다. 프로그램과 소거 커맨드는 메모리의 명령 인터페이스에 작성됩니다. 온 칩 프로그램 /는 제어기를 없애고 기억 내용을 업데이트하도록 요구되는 모든 특수 작전을 돌보는 것에 의해 메모리를 프로그램을 짜거나 없애는 과정을 단순화합니다. 프로그램 또는 소거 동작의 말은 발견될 수 있고 어떠한 오류 상태도 동일시했습니다. 명령은 메모리가 제덱 스탠다드와 일치하는지를 컨트롤하도록 요구되는 것으로 졌습니다.

특징 개요

■ 공급 전압
- 프로그램을 위한 3.6V에 대한 VCC = 2.7V가 쉽게 지워지고 읽었습니다
- 고속 프로그램을 위한 VPP =12 Ｖ (선택적)
■ 엑세스 시간 : 70, 90 나노 초
■ 프로그래밍 시간
- 전형적인 바이트 / 워드 당 10 우리
- 2배 길이 단어 프로그래밍 옵션
■ 135 메모리 블록
- 1개의 부트 블록과 7개의 매개 변수 블록, 각각 8 크바이트스 (상부 또는 최저 위치)
- 127 주요 블록, 각각 64 크바이트스
■ 프로그램 /는 제어기를 없앱니다
- 내장된 바이트 / 워드 프로그램 알고리즘
■는 일시 중단과 재시작 모드를 없앱니다
- 삭제 중지 동안 또 다른 블록의 읽었고 프로그램을 짭니다
■ 잠금 해제 우회 프로그램 커맨드
- 빠른 생산 / 뱃치 프로그래밍
■ VPP / WP는 고속 프로그램을 위해 고정하고, PROTECT를 작성합니다
■ 일시적 블록 비보호 방식
■ 공통 플래시 인터페이스
- 64개 비트 보안 코드
■는 메모리 블록을 확장했습니다
- 보안 블록으로서 또는 상점 부가 정보에 사용된 여분 블록
■ 저 전력 소모
- 대기중이고 자동 대기
■ 100,000 프로그램 /는 블록마다 사이클을 없앱니다
■ 전자 서명
- 제조사 코드 : 0020h
- 최고 장치 코드 M29W640DT : 22DEh
- 하단 장치 코드 M29W640DB : 22DFh

상술

기술

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