M29W640GT70NA6Eの記憶IC抜け目がない平行64Mbit 16 48/48 TSOP

                                                                  M29W640GT70NA6Eのデータ用紙

プロダクト細部

概略記述

M29W640Dは読まれ、消され、プログラムし直すことができる64 Mbit （8Mb x8か4Mb x16）の不揮発性メモリである。これらの操作は単一の低電圧（3.6Vへの2.7）の供給を使用して行うことができる。パワーアップ読まれたモードへの記憶デフォルト。
記憶は独自に消すことができる従って有効なデータを維持することは可能であるブロックに古いデータが消される間、分けられる。ブロックは4つの64のKバイトのブロックの256 Kバイトの単位で偶然プログラムまたは消去命令が記憶を変更することを防ぐために（一般にグループ）保護することができる。プログラムおよび消去命令は記憶の命令インターフェイスに書かれている。オン破片のプログラム/消去のコントローラーは記憶内容を更新するように要求される特別運転すべてを大事にすることによって記憶をプログラムするか、または消すプロセスを簡単にする。プログラムまたは消去操作の終わりは検出することができ、どのエラー状態でも識別した。置かれる記憶を制御するために必要な命令はJEDECの標準に一貫している。

特徴の概要

■供給電圧
– VCCは= 2.7Vへのプログラム、消去のための3.6V、読んだ
–速いプログラムのためのVPP =12 V （任意）
■アクセス時間:70、90 ns
■プログラミングの時間
–典型的なバイト/単語ごとの10のµs
–二重単語のプログラミングの選択
■135のメモリ ブロック
– 1つのブート ブロックおよび7つの変数ブロック、8 Kバイトそれぞれ（上か下の位置）
– 127の主要なブロック、64 Kバイトそれぞれ
■PROGRAM/ERASEのコントローラー
–埋め込まれたバイト/単語プログラム アルゴリズム
■消去はモードを中断し、再開する
–消去の間の別のブロックが中断するプログラムおよび読書
■バイパス プログラム命令の鍵を開けなさい
–より速い生産/バッチ プログラミング
■速いプログラムおよび書込禁止のためのVPP/WP Pin
■一時的なブロックUNPROTECTIONモード
■共通の抜け目がないインターフェイス
– 64ビットのセキュリティ・コード
■XMSのブロック
–保証ブロックとして使用される余分ブロックまたはその他の情報を貯えるため
■低い電力の消費
–スタンバイおよび自動スタンバイ
■ブロックごとの100,000のPROGRAM/ERASE周期
■電子署名
–製造業者コード:0020h
–上のデバイス・コードM29W640DT:22DEh
–最下のデバイス・コードM29W640DB:22DFh

指定

記述

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