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MT41K256M16HA-125 :E 드램 DDR3 4Gbit 16 96/144 에프비지에이 1 CT
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MT41K256M16HA-125 :E 드램 DDR3 4Gbit 16 96/144 에프비지에이 1 CT

원래 장소 전화
브랜드 이름 Micron Technology Inc.
인증 ROHS
모델 번호 MT41K256M16HA-125 :E
제품 세부 정보
상품 이름:
MT41K256M16HA-125 :E
상태:
원형 100%
설치 메소드페:
DDR3L SDRAM
패키지:
96-에프비지에이 (9x14)
전압 - 공급:
국제 기준
맥스. 역류:
국제 기준
애플리케이션:
메모리 IC
제품 설명

 

                                                                            MT41K256M16HA-125 :E 드램 DDR3 4Gbit 16 96/144 에프비지에이 1 CT 0MT41K256M16HA-125:E 데이터시트

설명

DDR3L SDRAM(1.35V)은 DDR3(1.5V) SDRAM의 저전압 버전입니다.1.5V 호환 모드에서 실행하는 경우 DDR3(1.5V) SDRAM(Die Rev :E) 데이터 시트 사양을 참조할 수 있습니다.


특징

• VDD = VDDQ = 1.35V(1.283~1.45V)
• 역방향 VDD = VDDQ = 1.5V ±0.075V와 호환 가능
– 1.5V 애플리케이션에서 이전 버전과 호환되도록 DDR3L 장치 지원
• 차동 양방향 데이터 스트로브
• 8n비트 프리페치 아키텍처
• 차동 클록 입력(CK, CK#)
• 8개의 내부 뱅크
• 공칭 및 동적 온다이 종단(ODT)
데이터, 스트로브 및 마스크 신호용
• 프로그래밍 가능한 CAS(READ) 대기 시간(CL)
• 프로그래밍 가능한 게시된 CAS 추가 대기 시간(AL)
• 프로그래밍 가능한 CAS(WRITE) 대기 시간(CWL)
• 8의 고정 버스트 길이(BL) 및 4의 버스트 촙(BC)
(모드 레지스터 세트[MRS]를 통해)
• 온더플라이(OTF) 선택 가능한 BC4 또는 BL8
• 자가 새로 고침 모드
• 105°C의 TC
– 64ms, 8192주기 새로 고침 최대 85°C
– >85°C ~ 95°C에서 32ms, 8192주기 새로 고침
– 16ms, >95°C ~ 105°C에서 8192주기 새로 고침
• 자가 재생 온도(SRT)
• 자동 자가 새로고침(ASR)
• 쓰기 평준화
• 다목적 레지스터
• 출력 드라이버 보정

기인하다 속성 값
제조사 마이크론 테크놀로지
제품 카테고리 메모리 IC
시리즈 -
포장 쟁반
패키지 케이스 96-TFBGA
작동 온도 0°C ~ 95°C(TC)
상호 작용 평행한
전압 공급 1.283V ~ 1.45V
공급업체-기기-패키지 96-FBGA(9x14)
기억 용량 4G(256M x16)
메모리 유형 DDR3L SDRAM
속도 800MHz
포맷 메모리
제조업체 마이크론 테크놀로지
패키지 쟁반
제품 상태 구식
메모리 유형 휘발성 물질
메모리 형식 음주
기술 SDRAM - DDR3L
메모리 크기 4Gb(256M x 16)
메모리 인터페이스 평행한
클록 주파수 800MHz
쓰기 주기 시간 단어 페이지 -
액세스 시간 13.75ns
전압 공급 1.283V ~ 1.45V
마운팅 타입 표면 실장
패키지 케이스 96-TFBGA
기본 제품 번호 MT41K256M16

우리는 누구입니까?

반도체 및 전자 부품 판매 및 서비스 분야에서 10년 이상 고객을 대상으로 하는 전문 전자 마케팅 기업으로, 신규 및 미사용, 원래 공장 밀봉 포장 전자 부품 판매를 전문으로 합니다.IC, 다이오드, 트랜지스터, IGBT, DC-DC 변환기를 전문으로 합니다.*** 자체 판매 서비스 개념을 설정했으며 이미 많은 유명 제조업체와 강력한 파트너십을 구축했으며 5,000,000가지 이상의 전자 부품을 보유하고 있습니다. 당신의 선택을 위해, 항상 당신의 서비스에!

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