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MT41K256M16HA-125:EのドラムDDR3 4Gbit 16 96/144 FBGA 1 CT
  • MT41K256M16HA-125:EのドラムDDR3 4Gbit 16 96/144 FBGA 1 CT

MT41K256M16HA-125:EのドラムDDR3 4Gbit 16 96/144 FBGA 1 CT

起源の場所 呼出し
ブランド名 Micron Technology Inc.
証明 ROHS
モデル番号 MT41K256M16HA-125:E
製品詳細
製品名:
MT41K256M16HA-125:E
条件:
原物100%
設置methodpe:
DDR3L SDRAM
パッケージ:
96-FBGA (9x14)
電圧-供給:
国際規格
最高。逆の流れ:
国際規格
適用:
メモリーIC
製品の説明

 

                                                                            MT41K256M16HA-125:EのドラムDDR3 4Gbit 16 96/144 FBGA 1 CT 0MT41K256M16HA-125:Eのデータ用紙

記述

DDR3L SDRAM (1.35V)はDDR3 (1.5V)の低電圧版SDRAMである。1.5V多用性があるモードで走った場合、DDR3 (1.5V)を参照できるSDRAM (Rev.は死ぬ:E)データ用紙の指定。


特徴

•VDD = VDDQ = 1.35V (1.283-1.45V)
•に下位互換VDD = VDDQ = 1.5V ±0.075V
– DDR3L装置を1.5V適用で下位互換であるために支える
•差動二方向データ ストロボ
•8nビット先取りの建築
•差動クロックの入力(CK、CK#)
•8つの内部銀行
•わずかな、動的オン ダイスの終了(ODT)
データ、ストロボおよびマスク信号のため
•プログラム可能なCASの(読まれる)潜伏(CL)
•プログラム可能な掲示されたCASの付加的な潜伏(AL)
•プログラム可能なCASの(書きなさい)潜伏(CWL)
•4の8そして破烈のチョップの固定破烈させた長さ(BL) (紀元前に)
(によってモード・レジスタ セット[夫人])
•大急ぎで選択可能なBC4かBL8 (OTF)
•自己によってはモードが新たになる
•105°CのTC
– 64msの8192周期は85°Cまで新たになる
– 32msの8192周期は>85°Cに95°Cで新たになる
– 16msの8192周期は>95°Cに105°Cで新たになる
•自己によっては新たになる温度(SRT)が
•自動自己は新たになる(ASR)
•Write水平になること
•多目的記録
•出力運転者の口径測定

                     
属性 属性値
製造業者 マイクロン・テクノロジ株式会社。
製品カテゴリ 記憶IC
シリーズ -
包装
パッケージ場合 96-TFBGA
作動温度0°C | 95°C (TC)
インターフェイス 平行
電圧供給1.283 V | 1.45ボルト
製造者装置パッケージ 96-FBGA (9x14)
記憶容量4G (256M x16)
記憶タイプDDR3L SDRAM
速度 800MHz
フォーマット記憶 RAM
Mfr マイクロン・テクノロジ株式会社。
パッケージ
プロダクト状態 時代遅れ
記憶タイプ揮発
記憶フォーマット ドラム
技術SDRAM - DDR3L
記憶サイズ 4Gb (256M x 16)
記憶インターフェイス平行
時計頻度800のMHz
書周期時間単語ページ -
アクセス時間13.75 ns
電圧供給1.283V | 1.45V
土台タイプ 表面の台紙
パッケージ場合 96-TFBGA
基盤プロダクト数 MT41K256M16

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