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| 원래 장소 | 전화 |
| 브랜드 이름 | STMicroelectronics |
| 인증 | ROHS |
| 모델 번호 | STP12NM50 |
마드메쉬티엠은 다수 유출 공정을 회사의 파워메쉬티엠 수평선상 설계와 연관시키는 새로운 혁명적 MOSFET 기술입니다. 결과물은 우수한 낮은 온 저항, 인상적으로 높은 드프 / dt와 우수한 쇄도 특성을 가지고 있습니다. 회사의 독점적 스트립 기술의 입양은 의미 심장하게 유사한 경쟁의 제품의 그것 보다 더 낫는 전체적 동적 성능을 만듭니다.
■ 높은 드프 / dt와 쇄도 역량
■ 저입력 캐패시턴스와 게이트전하
시험된 ■ 100% 쇄도
■ 낮은 게이트 입력 저항
■ 곤경 프로세스 컨트롤과 높은 제조율
■ 교환 응용
| 특성 | 속성 값 |
|---|---|
| 제조사 | 스트미크로일렉트로닉스 |
| 상품 카테고리 | FET - 단일 |
| 수명 상태 | (마지막으로 업데이트된 생산 |
| 경우 패키지 | TO-220 |
| 탑재 | 관통 홀 |
| 핀의 수 | 3 |
| 중량 | 4.535924 Ｇ |
| 연속배수 경향 ID | 12 A |
| 전류 등급 | 12 A |
| 원천 고장 전압에 고갈되세요 | 500 Ｖ |
| 원천 저항에 고갈되세요 | 350 mΩ |
| 원천 전압 VDS에 고갈되세요 | 550 Ｖ |
| 요소 구조 | 단일 |
| 원천 전압 -브그스에 대한 게이츠 | 30 Ｖ |
| 입력 커패시턴스 | 1 nF |
| 최대 결합 온도 -트제이 | 150 'Ｃ |
| 최대 작동 온도 | 150 'Ｃ |
| MAX 출력 산재 | 160 Ｗ |
| 민 작동 온도 | -65 'Ｃ |
| 채널 수 | 1 |
| 원소의 번호 | 1 |
| 전력 소모 | 160 Ｗ |
| Rds ON 상태 최대 | 350 mΩ |
| 저항 | 350 mΩ |
| 오름시간 | 10 나노 초 |
| 일정-B | 8541290080 |
| 역치 전압 | 4 Ｖ |
| 턴온지연시간 | 20 나노 초 |
| 전압 정격 DC | 500 Ｖ |
| 높이 | 9.15 밀리미터 |
| 길이 | 10.4 밀리미터 |
| 폭 | 4.6 밀리미터 |
| 무연 | 무연성 |
| 방사선 경화 | 부정 |
| REACH-SVHC | 어떤 SVHC |
| 로에스 | 순응합니다 |
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