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| 起源の場所 | 呼出し |
| ブランド名 | STMicroelectronics |
| 証明 | ROHS |
| モデル番号 | STP12NM50 |
MDmesh™は会社のPowerMESH™の横のレイアウトと多数の下水管プロセスを関連付ける新しい革命的なMOSFETの技術である。生じるプロダクトに顕著で低いオン抵抗、印象的に高いdv/dtおよび優秀ななだれの特徴がある。会社の専有ストリップの技術の採用は同じような競争のプロダクトのそれよりかなりよい全面的な動的パフォーマンスをもたらす。
■高いdv/dtおよびなだれの機能
■低い入力キャパシタンスおよびゲート充満
■100%のなだれはテストした
■低いゲートの入力抵抗
■堅いプロセス制御および高い製造の収穫
■転換の適用
| 属性 | 属性値 |
|---|---|
| 製造業者 | STMicroelectronics |
| 製品カテゴリ | 単一FETs - |
| ライフサイクル状態 | 生産（更新される最後 |
| 場合パッケージ | TO-220 |
| 台紙 | 穴を通して |
| 数のピン | 3 |
| 重量 | 4.535924 g |
| 連続的下水管現在ID | 12 A |
| 現在評価 | 12 A |
| 下水管に源故障電圧 | 500ボルト |
| 下水管に源抵抗 | 350 mΩ |
| 下水管に源電圧Vdss | 550ボルト |
| 要素構成 | 単一 |
| ゲートに源電圧Vgs | 30ボルト |
| 入力キャパシタンス | 1 nF |
| 最高接続点温度Tj | 150 °C |
| 最高作動温度 | 150 °C |
| 最高力消滅 | 160 W |
| 分作動温度 | -65 °C |
| 数のチャネル | 1 |
| 数の要素 | 1 |
| パワー消滅 | 160 W |
| Rds最高 | 350 mΩ |
| 抵抗 | 350 mΩ |
| 立上り時間 | 10 ns |
| スケジュールB | 8541290080 |
| 境界電圧 | 4ボルト |
| 回転遅れ時間 | 20 ns |
| 電圧評価DC | 500ボルト |
| 高さ | 9.15 mm |
| 長さ | 10.4 mm |
| 幅 | 4.6 mm |
| 無鉛 | 無鉛 |
| 放射堅くなること | いいえ |
| REACH-SVHC | SVHC無し |
| RoHS | 迎合的 |
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