특성 | 속성 값 |
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제조사 | 인피네온 |
상품 카테고리 | FET - 단일 |
시리즈 | 옵티모스 |
패키징 | 릴 |
부분적 가칭 | BSZ065N03LSATMA1 BSZ065N03LSXT SP000799084 |
증가하는 방식 | SMD / SMT |
상표명 | 옵티모스 |
포장 케이스 | TDSON-8 |
기술 | Si |
채널 수 | 1개 채널 |
구성 | 한 개의 쿼드 배수 3중 원천 |
트랜지스터 유형 | 1 엔-채널 |
Pd 전원 산재 | 26 W |
최대 작업 온도 | + 150 C |
작동 온도 범위 | - 55 C |
낙하 시간 | 2.4 나노 초 |
오름시간 | 3.4 나노 초 |
브그스 게이츠 원천 전압 | 20 V |
ID (드레인전류) | 40 A |
Vds 배수 원천 고장 전압 | 30 V |
Rds 계속되는 배수 원천 저항 | 6.5 모엠에스 |
트랜지스터 극성 | 엔-채널 |
전형적 전환 꺼짐 상태 지연 시간 | 12 nS |
큐그 게이트 요금 | 10 nC |
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