| 属性 | 属性値 |
|---|---|
| 製造業者 | INFINEON |
| 製品カテゴリ | 単一FETs - |
| シリーズ | OptiMOS |
| 包装 | 巻き枠 |
| 一部別名 | BSZ065N03LSATMA1 BSZ065N03LSXT SP000799084 |
| 土台式 | SMD/SMT |
| 商号 | OptiMOS |
| パッケージ場合 | TDSON-8 |
| 技術 | Si |
| 数のチャネル | 1つのチャネル |
| 構成 | 単一のクォードの下水管の三重の源 |
| トランジスター タイプ | 1つのN-Channel |
| Pd力消滅 | 26 W |
| 最高使用可能温度 | + 150 C |
| 実用温度範囲 | - 55 C |
| 落下時間 | 2.4 ns |
| 立上り時間 | 3.4 ns |
| Vgsゲート源電圧 | 20ボルト |
| ID (下水管の流れ) | 40 A |
| Vds下水管源故障電圧 | 30ボルト |
| Rds下水管源抵抗 | 6.5のmOhms |
| トランジスター極性 | N-Channel |
| 典型的回転遅れ時間 | 12 nS |
| Qgゲート充満 | 10 NC |
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