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Si9410DY-T1-GE3 전력 전계 효과 트렌지스터 7A I(D) 30V 0.03 오옴 1-요소 엔-채널 실리콘 산화막 반도체
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Si9410DY-T1-GE3 전력 전계 효과 트렌지스터 7A I(D) 30V 0.03 오옴 1-요소 엔-채널 실리콘 산화막 반도체

원래 장소 전화
브랜드 이름 Vishay/NXP
인증 ROHS
모델 번호 Si9410DY
제품 세부 정보
상품 이름:
Si9410DY
상태:
원형 100%
증가하는 타입:
전계 효과인 전원
전압 - 공급:
표준
맥스. 역류:
표준
애플리케이션:
트랜지스터
제품 설명

                                                                                 Si9410DY-T1-GE3 전력 전계 효과 트렌지스터 7A I(D) 30V 0.03 오옴 1-요소 엔-채널 실리콘 산화막 반도체 0Si9410DY-T1-GE3 데이터 시트

                           
특성 속성 값
제조사 인피네온
상품 카테고리 FET - 단일
수명 상태 (마지막으로 업데이트된 NRND
경우 패키지 그래서
접촉 도금주석
탑재 표면 부착
핀의 수 8
연속배수 경향 ID 10 A
전류 등급10 A
원천 고장 전압에 고갈되세요 30 V
원천 저항에 고갈되세요 20 mΩ
원천 전압 VDS에 고갈되세요 30 V
양전원30 V
요소 구조단일
낙하 시간44 나노 초
원천 전압 -브그스에 대한 게이츠 20 V
입력 커패시턴스1.585 nF
최대 결합 온도 -트제이 150 'C
최대 작동 온도 150 'C
MAX 출력 산재 2.5 W
민 작동 온도 -55 'C
명목상 -브그스 1 V
원소의 번호 1
ON 상태 저항 13.5 mΩ
패키지 양 3800
패키징테이프 & 릴
전력 소모2.5 W
Rds ON 상태 최대 13.5 mΩ
저항 13.5 mΩ
오름시간7.7 나노 초
일정-B 8541290080
종결SMD / SMT
역치 전압1 V
턴오프소멸시간 38 나노 초
턴온지연시간 11 나노 초
전압 정격 DC 30 V
높이 1.4986 밀리미터
길이 4.9784 밀리미터
3.9878 밀리미터
무연납을 함유하고 자유로와서 이릅니다
방사선 경화부정
REACH-SVHC 어떤 SVHC
로에스순응합니다

 

 

 

그를 우리가 입니까?
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FAQ
큐 : 당신이 업체 또는 제조를 거래하고 있습니까?
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큐 : 오랫동안 당신의 배달 시간은 어떻습니까?
한 : 일괄구매 배달 시간 : 30-60 일 ; 유치 우편 시간 : 20 일.
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한 : 저장고로서의 전신환 30%와 배달 전에 70%.
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큐 : 품질보증의 내용은 어떤 것입니까 ?
한 : 무료 보증은 자격을 얻은 위임의 그 날부터 일년입니다.무료 보증 기간 이내에 자사 제품을 위한 어떠한 결점도 있다면 우리는 무료로 그것을 수리하고 결점 집회를 바꿀 것입니다.

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