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| 起源の場所 | 呼出し |
| ブランド名 | onsemi |
| 証明 | ROHS |
| モデル番号 | H11G1SR2M |
プロダクト細部
H11GXMシリーズはphotodarlingtonタイプの光学的につながれたオプトカプラーである。これらの装置はinteがあるケイ素のdarlingtonによって接続されるフォトトランジスターとつながれるガリウム砒素の赤外線出るダイオードを備えている
高いテンペラのtureの特徴を最大限に活用するgral base-emitterの抵抗器。
■高いBVCEO
– H11G1Mのための最低100V
– H11G2Mのための最低80V
– H11G3Mのための最低55V
■= 1mA低い入力電流（Min. 500% CTRへの高い感受性の）
■高温で（最高現在の低い漏出。80°C）の100µA
■保険業者の実験室（UL）はファイル# E90700の容積2を確認した
■CMOSの論理インターフェイス
■電話リング探知器
■低い入力TTLインターフェイス
■電源の分離
■脈拍の変圧器を取り替えなさい
指定
| 属性 | 属性値 |
|---|---|
| 製造業者 | onsemi |
| 製品カテゴリ | トランジスター出力オプトカプラー |
| シリーズ | - |
| 包装 | 互い違いの包装 |
| 単位重量 | 0.028572 oz |
| パッケージ場合 | 6-SMDのカモメの翼 |
| 入力タイプ | DC |
| 作動温度 | -40°C | 100°C |
| 土台タイプ | 表面の台紙 |
| 出力タイプ | 基盤とのダーリントン |
| 数のチャネル | 1つのチャネル |
| 製造者装置パッケージ | 6-SMD |
| 構成 | 1つのチャネル |
| 定格出力の流れ | - |
| 電圧出力最高 | 100V |
| 現在DC前方最高 | 60mA |
| 電圧分離 | 4170Vrms |
| Vf | 1.3V |
| 現在の移動比率 | 1000% @ 10mA |
| 現在移動比率最高 | - |
| 時間を消しなさい | 5μs、100μs |
| 上昇落下時間Typ | - |
| Vceの飽和 | 1V |
| Pd力消滅 | 260 MW |
| 最高使用可能温度 | + 100 C |
| 実用温度範囲 | - 40 C |
| Vf前方電圧 | 1.5 V |
| 分離電圧 | 7500 Vrms |
| Vr逆電圧 | 6ボルト |
| 前方現在 | 60 mA |
| パッケージ場合 | PDIP-6カモメの翼 |
| 最高コレクター エミッター電圧 | 100ボルト |
| 最高コレクター エミッター飽和電圧 | 1ボルト |
形態、パッケージ、機能多用性がある部品
記述
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