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| 起源の場所 | 呼出し |
| ブランド名 | onsemi |
| 証明 | ROHS |
| モデル番号 | 6N136SM |
プロダクト細部
記述
6N135、6N136およびICPL4502装置はそれぞれから赤外線出るダイオード、高速光検出機構に光学的につながれて成っている。フォトダイオード バイアスおよび出力トランジスター コレクターのための別の関係は慣習的なフォトトランジスターのカプラー上の複数の一桁によって入力トランジスターの基盤コレクター キャパシタンスの減少によって速度を増加する。
それらは8ピンすくいのパッケージで広鉛の間隔およびSMDの選択で利用できる包まれ。
•高速1Mbit/s
•入出力（Viso=5000 Vrms）間の高い分離の電圧
•0°Cからの70°Cへの保証された性能
•広実用温度の範囲-55°Cへの100°C
•自由な迎合的なPbおよびRoHS
•ライン受信機
•通信機器
•モーター ドライブの力トランジスター分離
•低いフォトトランジスターの写真のカプラーのための取り替え
•スイッチ モード電源のフィードバック ループ
•家庭電化製品
•高速論理の地面の分離
指定
| 属性 | 属性値 |
|---|---|
| 製造業者 | onsemi |
| 製品カテゴリ | ICの破片 |
| シリーズ | - |
| 包装 | 管の互い違いの包装 |
| 単位重量 | 0.025397 oz |
| パッケージ場合 | 8-SMDのカモメの翼 |
| 入力タイプ | DC |
| 作動温度 | -40°C | 100°C |
| 土台タイプ | 表面の台紙 |
| 出力タイプ | 基盤が付いているトランジスター |
| 数のチャネル | 1つのチャネル |
| 製造者装置パッケージ | 8-SMD |
| データ レート | 1 Mbps |
| 定格出力の流れ | 8mA |
| 電圧出力最高 | 20V |
| 現在DC前方最高 | 25mA |
| 電圧分離 | 5000Vrms |
| Vf | 1.45V |
| 現在の移動比率 | 19% @ 16mA |
| 現在移動比率最高 | 50% @ 16mA |
| 時間を消しなさい | 250ns、260ns |
| 上昇落下時間Typ | - |
| Vceの飽和 | - |
| Pd力消滅 | 100 MW |
| 最高使用可能温度 | + 100 C |
| 実用温度範囲 | - 55 C |
| Vf前方電圧 | 1.45 V |
| 分離電圧 | 5000 Vrms |
| 落下時間 | 0.8私達 |
| 立上り時間 | 0.8私達 |
| Vr逆電圧 | 5ボルト |
| 前方現在 | 16 mA |
| パッケージ場合 | SMD-8 |
| 現在移動比率 | 38% |
記述
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