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MT29F128G08AMCABH2-10ITZ:記憶IC SLC否定論履積抜け目がない平行/連続3.3V 128Gビット16G x 8 100 Pin TBGA
  • MT29F128G08AMCABH2-10ITZ:記憶IC SLC否定論履積抜け目がない平行/連続3.3V 128Gビット16G x 8 100 Pin TBGA

MT29F128G08AMCABH2-10ITZ:記憶IC SLC否定論履積抜け目がない平行/連続3.3V 128Gビット16G x 8 100 Pin TBGA

起源の場所 呼出し
ブランド名 Micron Technology Inc.
証明 ROHS
モデル番号 MT29F128G08AMCABH2-10ITZ:
製品詳細
製品名:
MT29F128G08AMCABH2-10ITZ:
条件:
原物100%
設置methodpe:
SLC否定論履積の抜け目がない平行/連続3.3V 128Gビット
パッケージ:
16G X 8 100 Pin TBGA
電圧-供給:
国際規格
最高。逆の流れ:
国際規格
適用:
メモリーIC
製品の説明

 

                                                                            MT29F128G08AMCABH2-10ITZ:記憶IC SLC否定論履積抜け目がない平行/連続3.3V 128Gビット16G x 8 100 Pin TBGA 0MT29F128G08AMCABH2-10ITZ:データ用紙

概説

ミクロン否定論履積の抜け目がない装置は非同期データ インターフェイスをのための高行うance入力/出力操作を含んでいる。これらの装置は命令、住所およびデータを移すのに非常に多重型にされた8ビット バス(DQx)を使用する。asyn chronousデータ インターフェイスを実行するのに使用される5つの制御信号がある:CE#、CLE、エール、WE#およびRE#。付加的なハードウェアを書き、保護(WP#)を監察する装置状態(R/B#)を信号制御。

 

特徴

•開いた否定論履積抜け目がないインターフェイス(ONFI) 2.2-compliant1
•多数レベルの細胞(MLC)の技術
•構成
–ページ サイズx8:8640バイト(8192の+ 448バイト)
–ブロック サイズ:256ページ(2048K + 112Kバイト)
–平らなサイズ:平面ごとの2つの平面x 2048のブロック
–装置サイズ:64Gb:4096のブロック;
128Gb:8192のブロック;
256Gb:16,384のブロック;
512Gb:32,786のブロック
•同期入力/出力の性能
–まで同期タイミング モード5
–クロック レート:10ns (DDR)
–ピンごとの読み書き効率:200 MT/s
•非同期入力/出力の性能
–まで非同期タイミング モード5

tRC/tWC:20ns (分)
•配列の性能
–読まれたページ:50µs (MAX)
–プログラム ページ:1300µs (タイプ)
–消去のブロック:3ms (タイプ)
•作動の電圧範囲
– VCC:2.7-3.6V
– VCCQ:1.7-1.95V、2.7-3.6V
•命令セット:ONFI否定論履積の抜け目がない議定書
•高度命令セット
–プログラム隠し場所
–順次読まれた隠し場所
–任意読まれた隠し場所
–一度だけのプログラム可能な(OTP)モード
–複数の平面命令
–複数のLUN操作
–独特なIDを読みなさい
– Copyback
•出荷されたとき最初ブロック(ブロック・アドレス00h)は有効である
工場から。最低の必須ECCのために、見なさい
間違い管理(109ページ)。
•調整(FFh)は力の後で最初命令として要求した

•操作の状態バイトはソフトウェア方法をに提供する
検出
–操作の完了
–パス/失敗の状態
–書込禁止の状態
•データ ストロボ(DQS)信号はハードウェア方法を提供する
同期のデータDQを合わせるため
インターフェイス
•Copyback操作は平面の内で支えた
データが読まれる
•質および信頼性
–データ保持:10年
–持久力:5000のPROGRAM/ERASE周期
•実用温度:
–コマーシャル:0°Cへの+70°C
–産業(IT):– 40ºCへの+85ºC
•パッケージ
– 52パッドLGA
– 48ピンTSOP
– 100ボールBGA

 

               
属性 属性値
製造業者 マイクロン・テクノロジ株式会社。
製品カテゴリ 記憶IC
ライフサイクル状態 生産(更新される最後
台紙 表面の台紙
数のピン 100
住所バス幅34 b
密度 128 GB
インターフェイス 連続平行
最高作動温度 85 °C
最高供給電圧3.6 V
記憶サイズ 14.9 GB
記憶タイプフラッシュ、否定論履積
分作動温度 -40 °C
分供給電圧2.7 V
わずか供給現在 50 mA
わずか供給電圧DC 3.3 V
作動供給電圧3.3 V
包装大きさ
同時性Async非同期
単語サイズ8 b
RoHS 迎合的
 

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