BD681G-Datenblatt
Produkt-Details
Beschreibung: Das BD681G ist ein Transistor NPN Darlington mit einem maximalen Kollektorsperrstrom von 200 MA. Es wird in einem TO-225AA durch das Loch verpackt, das Art anbringt und Höchstleistungsanschlusswerte von 40W hat. Es hat ein minimales Gleichstromverstärkung hFE von 750 @ 1.5A, von 3V und von Transistorpolarität von NPN.
Eigenschaften:
• Konfiguration NPN Darlington
• Maximaler Kollektorsperrstrom von 200 MA
• Verpackt in einem TO-225AA durch das Loch, das Art anbringt
• Höchstleistungsanschlusswerte von 40W
• Minimales Gleichstromverstärkung hFE von 750 @ 1.5A, 3V
• Transistorpolarität von NPN
Anwendungen:
Das BD681G ist für Gebrauch in einer Vielzahl von Anwendungen wie Audioverstärkern, zugeschalteten Stromkreisen der Macht und Motorsteuerungsstromkreisen passend. Es kann in den Automobil- und industriellen Anwendungen auch verwendet werden.
Spezifikationen
Attribut | Attribut-Wert |
---|---|
Hersteller | onsemi |
Produkt-Kategorie | Transistoren (BJT) - einzeln |
Reihe | BD681 |
Verpacken | Masse |
Montage-ähnlich | Durch Loch |
Paket-Fall | TO-225AA, TO-126-3 |
Montage-artig | Durch Loch |
Lieferant-Gerät-Paket | TO-225AA |
Konfiguration | Einzeln |
Macht-maximal | 40W |
Transistor-artig | NPN - Darlington |
Elektrische Stromabnehmer | 4A |
Spannung-Kollektor-Emitter-Zusammenbruch-maximal | 100V |
DC-Gegenwärtig-Gewinn-hFE-Minute-IC-Vce | 750 @ 1.5A, 3V |
Vce-Sättigung | 2.5V @ 30mA, 1.5A |
Gegenwärtig-Kollektor-Abkürzung-maximal | 500μA |
Frequenz-Übergang | - |
Normalbetriebshöchsttemperatur | + 150 C |
Betriebstemperaturbereich | - 55 C |
Kollektor-Emitter-Spannung-VCEO-maximal | 100 V |
Transistor-Polarität | NPN |
Kollektor-Basis-Spannung-VCBO | 100 V |
Emitter-Basis-Spannung-VEBO | 5 V |
Maximum-DC-Kollektor-gegenwärtig | 4 A |
DC-Kollektor-Basis-Gewinn-hfe-Minute | 750 |
Maximum-Kollektor-Schnitt-weg-gegenwärtig | 200 MA |
Beschreibungen
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