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Transistor MOSFET 30V 52A 5.9mOhm SGL N-CH du transistor MOSFET PWR de transistors de NTTFS4C08NTAG
  • Transistor MOSFET 30V 52A 5.9mOhm SGL N-CH du transistor MOSFET PWR de transistors de NTTFS4C08NTAG
  • Transistor MOSFET 30V 52A 5.9mOhm SGL N-CH du transistor MOSFET PWR de transistors de NTTFS4C08NTAG

Transistor MOSFET 30V 52A 5.9mOhm SGL N-CH du transistor MOSFET PWR de transistors de NTTFS4C08NTAG

Lieu d'origine Appel
Nom de marque onsemi
Certification ROHS
Numéro de modèle NTTFS4C08NTAG
Détails du produit
Nom de produit:
NTTFS4C08NTAG
Condition:
Original 100%
Methodpe d'installation:
N-canal 30 V de la Manche WDFN-8 du transistor MOSFET 52 A 1
Paquet:
8-PowerWDFN
Tension - approvisionnement:
Norme internationale
Max. Reverse Current:
Norme internationale
Application:
FETs - simples
Description de produit

                                                                  Transistor MOSFET 30V 52A 5.9mOhm SGL N-CH du transistor MOSFET PWR de transistors de NTTFS4C08NTAG 0Fiche technique de NTTFS4C08NTAG
Détails de produit

Transistor MOSFET de puissance

30 V, 64 A, N−Channel simple, WDFN8

Caractéristiques

• Diode intégrée de Schottky
• Le bas RDS (dessus) pour réduire au maximum des pertes de conduction
• Basse capacité pour réduire au minimum le conducteur Losses
• Charge optimisée de porte pour réduire au maximum des pertes de changement
• Ces dispositifs sont Pb−Free et sont RoHS conforme

Applications

• La fourniture de courant d'unité centrale de traitement
• Rectification synchrone pour des convertisseurs de DC−DC
• Basse commutation latérale
• Rectification latérale secondaire de télécom

 

Caractéristiques

         
Attribut Valeur d'attribut
Fabricant SUR le semi-conducteur
Catégorie de produit FETs - simples
Série NTTFS4C08N
EmballageBobine
Paquet-cas WDFN-8
TechnologieSI
Nombre-de-canaux La 1 Manche
De type transistor 1 N-canal
Identification (courant de drain)52 A
Vds-Drain-Source-Panne-tension30 V
RDS-Sur-Drain-Source-résistance5,9 mOhms
Transistor-polarité N-canal

Descriptions

N-canal 30V 9.3A (ventres) 820mW (merci), 25.5W (comité technique) bâti 8-WDFN (3.3x3.3) de la surface
PE T/R du transistor MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin WDFN de transport
Transistor MOSFET 30V 52A 5.9mOhm SGL N-CH du transistor MOSFET PWR

 

Qui sommes-nous ?
est une société professionnelle de commercialisation entièrement occupée dans les champs des semi-conducteurs et des composants électroniques vente et le service pour des clients sur 10 ans, se spécialise en vendant le nouveau et l'usine inutilisée et originale du joint les composants électroniques de garniture. spécialisez-vous dans IC, diode, le transistor, IGBT, *** de convertisseur de DC-DC ..... a installé notre propre conception de service de ventes et a déjà établi des associations fortes avec beaucoup de fabricants célèbres et nous avons plus de 5 000 000 genres de composants électroniques pour vos choix, toujours à vos services !
FAQ
Q : Est-vous société commerciale ou le fabricant ?
: Nous sommes fabricant original OF Integrated Circuit Chip. Nous pouvons faire des affaires d'OEM/ODM.
Q : De quelle longueur est-il votre délai de livraison ?
: Délai de livraison d'achats de groupe : 30-60 jours ; Délai de livraison général : 20 jours.
Q : Quelles sont vos conditions de paiement ?
: T/T 30% comme dépôt, et 70% avant la livraison.
Q : Comment acheter vos produits ?
: Vous pouvez acheter les produits de notre société directement. Normalement la procédure est signe le contrat, paiement par T/T, contactent la compagnie maritime à la livraison les marchandises à votre pays.
Q : Quelle est la garantie ?
: La garantie libre est à un an du jour de la commission qualifié. S'il y a n'importe quel défaut pour nos produits au cours de la période libre de garantie, nous le réparerons et changerons l'ensemble de défaut pour libre.

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