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| Lieu d'origine | Appel |
| Nom de marque | onsemi |
| Certification | ROHS |
| Numéro de modèle | 2N3866A |
Fiche technique de BC847ALT1G
Détails de produit
Silicium de NPN
• Niveau de sensibilité d'humidité : 1
• Modèle de corps humain de − d'estimation d'ESD : >4000 V
Modèle de machine de − d'estimation d'ESD : >400 V
• Ces dispositifs sont Pb−Free, l'halogène Free/BFR libre et sont RoHSCompliant
Caractéristiques
| Attribut | Valeur d'attribut |
|---|---|
| Fabricant | SUR le semi-conducteur |
| Catégorie de produit | Transistors (BJT) - simple |
| Série | BC847AL |
| Emballage | Emballage alternatif |
| Unité-poids | 0,050717 onces |
| De style du support | SMD/SMT |
| Paquet-cas | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| De type support | Bâti extérieur |
| Fournisseur-Dispositif-paquet | SOT-23-3 (TO-236) |
| Configuration | Simple |
| Puissance-maximum | 300mW |
| De type transistor | NPN |
| Collecteurs de courant électrique | 100mA |
| Tension-Collecteur-Émetteur-Panne-maximum | 45V |
| C.C-Actuel-Gain-hFE-Minute-IC-Vce | 110 @ 2mA, 5V |
| Saturation de Vce | 600mV @ 5mA, 100mA |
| Actuel-Collecteur-Coupure-maximum | 15nA (ICBO) |
| Fréquence-transition | 100MHz |
| Palladium-Puissance-dissipation | 225 mW |
| Température de fonctionnement maximum | + 150 C |
| Gamme de température de fonctionnement | - 55 C |
| Collecteur-Émetteur-Tension-VCEO-maximum | 45 V |
| Transistor-polarité | NPN |
| Collecteur-Émetteur-Saturation-tension | 0,6 V |
| Collecteur-Base-tension-VCBO | 50 V |
| Émetteur-Base-tension-VEBO | 6 V |
| Maximum-C.C-collecteur-actuel | 0,1 A |
| Gain-Largeur de bande-Produit-pi | 100 mégahertz |
| Continu-Collecteur-actuel | 0,1 A |
| C.C-Collecteur-Base-Gain-hfe-minute | 110 |
Descriptions
Bâti extérieur bipolaire SOT-23-3 (TO-236) du transistor (BJT) NPN 45V 100mA 100MHz 300mW
Généraliste BJT NPN 45V 0.1A 300mW 3-Pin des véhicules à moteur SOT-23 T/R de transport
Transistors bipolaires - BJT 100mA 50V NPN
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