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Semi-conducteur discret
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| Lieu d'origine | Appel |
| Nom de marque | NXP Semiconductors |
| Certification | ROHS |
| Numéro de modèle | PZTA42 |
Fiche technique PZTA42
Détails de produit
Transistor à haute tension de silicium de NPN
●Basse tension de saturation de collecteur-émetteur
●Type complémentaire : PZTA92 (PNP)
Caractéristiques
| Attribut | Valeur d'attribut |
|---|---|
| Fabricant | Semi-conducteurs de NXP |
| Catégorie de produit | Transistors (BJT) - simple |
| Série | - |
| Emballage | Emballage alternatif |
| Unité-poids | 0,006632 onces |
| De style du support | SMD/SMT |
| Paquet-cas | TO-261-4, TO-261AA |
| De type support | Bâti extérieur |
| Fournisseur-Dispositif-paquet | SOT-223-4 |
| Configuration | Simple |
| Puissance-maximum | 1W |
| De type transistor | NPN |
| Collecteurs de courant électrique | 500mA |
| Tension-Collecteur-Émetteur-Panne-maximum | 300V |
| C.C-Actuel-Gain-hFE-Minute-IC-Vce | 40 @ 30mA, 10V |
| Saturation de Vce | 500mV @ 2mA, 20mA |
| Actuel-Collecteur-Coupure-maximum | 100nA (ICBO) |
| Fréquence-transition | 50MHz |
| Palladium-Puissance-dissipation | 1 W |
| Température de fonctionnement maximum | + 150 C |
| Gamme de température de fonctionnement | - 55 C |
| Collecteur-Émetteur-Tension-VCEO-maximum | 300 V |
| Transistor-polarité | NPN |
| Collecteur-Émetteur-Saturation-tension | 0,5 V |
| Collecteur-Base-tension-VCBO | 300 V |
| Émetteur-Base-tension-VEBO | 6 V |
| Maximum-C.C-collecteur-actuel | 0,5 A |
| Gain-Largeur de bande-Produit-pi | 50 mégahertz |
| Continu-Collecteur-actuel | 0,5 A |
| C.C-Collecteur-Base-Gain-hfe-minute | 40 |
Descriptions
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