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Transistor MOSFET N-CH 100V 97A 3-Pin D2PAK T/R de transport de transistor MOSFET de transistor d'IRFS4410ZTRLPBF - bande et bobine
  • Transistor MOSFET N-CH 100V 97A 3-Pin D2PAK T/R de transport de transistor MOSFET de transistor d'IRFS4410ZTRLPBF - bande et bobine

Transistor MOSFET N-CH 100V 97A 3-Pin D2PAK T/R de transport de transistor MOSFET de transistor d'IRFS4410ZTRLPBF - bande et bobine

Lieu d'origine Appel
Nom de marque IR
Certification ROHS
Numéro de modèle IRFS4410ZTRLPBF
Détails du produit
Nom de produit:
IRFS4410ZTRLPBF
Condition:
Original 100%
Methodpe d'installation:
Transistor MOSFET 97 un N-canal 100 V de la Manche TO-252-3 230 W de SMD/SMT 1
Paquet:
TO-263-3, ² PAK (2 avances + étiquettes) de D, TO-263AB
Tension - approvisionnement:
Norme internationale
Max. Reverse Current:
Norme internationale
Application:
Transistors - FETs de transistors MOSFET - simples
Description de produit

                                                                  Transistor MOSFET N-CH 100V 97A 3-Pin D2PAK T/R de transport de transistor MOSFET de transistor d'IRFS4410ZTRLPBF - bande et bobine 0Fiche technique d'IRFS4410ZTRLPBF
Détails de produit

• CARACTÉRISTIQUES

• Avec le paquet To-263 (D2PAK)
• Basses capacité d'entrée et charge de porte
• Basse résistance d'entrée de porte
• l'avalanche 100% a examiné
• Variations minimum de Sort-à-sort pour la représentation robuste de dispositif et l'opération fiable

 

 

• APPLICATIONS

• Applications de changement

Caractéristiques

                       
Attribut Valeur d'attribut
Fabricant IR
Catégorie de produit FETs - simples
EmballageBobine
Unité-poids 0,139332 onces
De style du support SMD/SMT
Paquet-cas TO-252-3
TechnologieSI
Nombre-de-canaux La 1 Manche
Configuration Simple
De type transistor 1 N-canal
Palladium-Puissance-dissipation230 W
Température de fonctionnement maximum+ 175 C
Chute fois57 NS
Temps de montée52 NS
Identification (courant de drain)97 A
Vds-Drain-Source-Panne-tension100 V
Vgs-Th-Porte-Source-Seuil-tension4 V
RDS-Sur-Drain-Source-résistance9 mOhms
Transistor-polarité N-canal
Qg-Porte-charge120 OR
Transconductance140 S
 

Descriptions

Bâti D2PAK de la surface 230W (comité technique) du N-canal 100V 97A (comité technique)
Transistor MOSFET N-CH 100V 97A 3-Pin (2+Tab) D2PAK T/R de transport
Transistor MOSFET MOSFT 100V 97A 9mOhm 83nC Qg

Qui sommes-nous ?
est une société professionnelle de commercialisation entièrement occupée dans les champs des semi-conducteurs et des composants électroniques vente et le service pour des clients sur 10 ans, se spécialise en vendant le nouveau et l'usine inutilisée et originale du joint les composants électroniques de garniture. spécialisez-vous dans IC, diode, le transistor, IGBT, *** de convertisseur de DC-DC ..... a installé notre propre conception de service de ventes et a déjà établi des associations fortes avec beaucoup de fabricants célèbres et nous avons plus de 5 000 000 genres de composants électroniques pour vos choix, toujours à vos services !
FAQ
Q : Est-vous société commerciale ou le fabricant ?
: Nous sommes fabricant original OF Integrated Circuit Chip. Nous pouvons faire des affaires d'OEM/ODM.
Q : De quelle longueur est-il votre délai de livraison ?
: Délai de livraison d'achats de groupe : 30-60 jours ; Délai de livraison général : 20 jours.
Q : Quelles sont vos conditions de paiement ?
: T/T 30% comme dépôt, et 70% avant la livraison.
Q : Comment acheter vos produits ?
: Vous pouvez acheter les produits de notre société directement. Normalement la procédure est signe le contrat, paiement par T/T, contactent la compagnie maritime à la livraison les marchandises à votre pays.
Q : Quelle est la garantie ?
: La garantie libre est à un an du jour de la commission qualifié. S'il y a n'importe quel défaut pour nos produits au cours de la période libre de garantie, nous le réparerons et changerons l'ensemble de défaut pour libre.

 
 

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