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Se trata de un sistema de circuitos integrados de memoria N25Q064A13ESE40G, que no incluye flash en serie, ni SLC 16MX4 SOIC.
  • Se trata de un sistema de circuitos integrados de memoria N25Q064A13ESE40G, que no incluye flash en serie, ni SLC 16MX4 SOIC.

Se trata de un sistema de circuitos integrados de memoria N25Q064A13ESE40G, que no incluye flash en serie, ni SLC 16MX4 SOIC.

Lugar de origen Llamada
Nombre de la marca Micron Technology Inc.
Certificación ROHS
Número de modelo N25Q064A13ESE40G
Detalles de producto
Nombre del producto:
N25Q064A13ESE40G
Condición:
Original 100%
Methodpe de la instalación:
FLASH - NOR -40°C ~ 85°C (TA) 8-SOIC (0,209", 5,30 mm de ancho) 2,7 V ~ 3,6 V
Paquete:
8-SO W
Voltagem - Suministro:
Estándar internacional
Max. Reverse Current:
Estándar internacional
Aplicación:
Memoria ICs
Alta luz: 

N25Q064A13ESE40G

,

N25Q064A13ESE40G circuitos integrados de memoria

,

16MX4 IC de memoria SOIC

Descripción de producto

                                                                  Se trata de un sistema de circuitos integrados de memoria N25Q064A13ESE40G, que no incluye flash en serie, ni SLC 16MX4 SOIC. 0Se aplicará el método de cálculo de las emisiones de gases de efecto invernadero.

Especificaciones

Atributo Valor del atributo
Fabricante Tecnología Micron Inc.
Categoría de productos Interfaces de memoria
Serie -
Embalaje Embalaje alternativo de los tubos
Cuadro de paquete 8 SOIC (0,209", 5,30 mm de ancho)
Temperatura de funcionamiento -40 °C ~ 85 °C (TA)
Interfaz Serial del SPI
Fuente de suministro de tensión 2.7 V ~ 3.6 V
Envase del producto del proveedor 8 - SO W
Capacidad de memoria 64M (16Mx4)
Tipo de memoria FLASH - Ni siquiera
Velocidad 108MHz
Formatos de memoria El flash.

Componente compatible funcional

Descripción del dispositivo

El N25Q es el primer dispositivo de memoria flash en serie de entrada/salida múltiple de alto rendimiento fabricado con tecnología NOR de 65 nm.Mecanismos avanzados de protección de escritura, y una interfaz de bus compatible con SPI de alta velocidad.las instrucciones de entrada/salida dual y quad permiten duplicar o cuadruplicar el ancho de banda de transferencia para las operaciones READ y PROGRAM.

Características

La memoria está organizada en 64 (64KB) sectores principales que se dividen en 16 subsectores cada uno (1024 subsectores en total).Sectores de 64 KB a la vez, o en su conjunto.
La memoria puede ser protegida de escritura por software a través de características de protección volátiles y no volátiles, dependiendo de las necesidades de la aplicación. The protection granularity is of 64KB (sector granularity) for volatile protections The device has 64 one-time programmable (OTP) bytes that can be read and programmed with the READ OTP and PROGRAM OTP commandsEstos 64 bytes también pueden ser bloqueados permanentemente con un comando PROGRAM OTP.El dispositivo también tiene la capacidad de pausar y reanudar los ciclos de PROGRAMA y ERASE utilizando instrucciones de PROGRAMA/ERASE SUSPEND y RESUME dedicadas.

Detalles del producto

Descripciones

El número de unidades de almacenamiento será el número de unidades de almacenamiento.

 

 

 

¿Quiénes somos?

es una empresa profesional de comercialización electrónica que se dedica íntegramente a la venta y al servicio de semiconductores y componentes electrónicos para clientes desde hace más de diez años,Especializado en la venta de los nuevos y no utilizados, original de fábrica de empaque sellado componentes electrónicos. especializados en IC, diodo, transistor, IGBT, convertidor DC-DC...*** ha establecido nuestro propio concepto de servicio de ventas y ya ha establecido sólidas asociaciones con muchos fabricantes famosos y tenemos más de 5 millones de,000,000 tipos de componentes electrónicos para sus opciones, siempre a su servicio!

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A: ¿Qué quieres decir?La garantía gratuita es de un año desde el día de la puesta en marcha calificada. Si hay algún defecto en nuestros productos dentro del período de garantía gratuita, lo repararemos y cambiaremos el conjunto de fallas de forma gratuita.
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