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MOSFET MOSFT 100V 290A 2.6mOhm 360nC Qg de los transistores de IRFP4468PBF
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MOSFET MOSFT 100V 290A 2.6mOhm 360nC Qg de los transistores de IRFP4468PBF

MOSFET MOSFT 100V 290A 2.6mOhm 360nC Qg de los transistores de IRFP4468PBF

Lugar de origen Llamada
Nombre de la marca IR
Certificación ROHS
Número de modelo IRFP4468PBF
Detalles de producto
Nombre de producto:
IRFP4468PBF
Condición:
Original 100%
Methodpe de la instalación:
MOSFET 290 A a través del canal N 100 V del canal TO-247-3 520 W del agujero 1
Paquete:
TO-247
Voltaje - fuente:
Estándar internacional
Max. Reverse Current:
Estándar internacional
Uso:
Transistores - FETs de los MOSFETs - solos
Descripción de producto

                                                                  MOSFET MOSFT 100V 290A 2.6mOhm 360nC Qg de los transistores de IRFP4468PBF 0Ficha técnica de IRFP4468PBF
Detalles del producto

DESCRIPCIÓN

Los MOSFETs del poder de la tercera generación de Vishay proveen del diseñador la mejor combinación de transferencia rápida, de diseño construido sólidamente del dispositivo, de en-resistencia baja y de rentabilidad.
El paquete de TO-247AC se prefiere para los usos comercial-industriales donde los niveles de mayor potencia impiden el uso de los dispositivos de TO-220AB. El TO-247AC es similar pero superior al paquete anterior TO-218 debido a su agujero de montaje aislado. También proporciona mayores distancias de contorneamiento entre los pernos para cumplir los requisitos de la mayoría de las especificaciones de seguridad.

CARACTERÍSTICAS

• Grado dinámico de dV/dt
• Avalancha repetidor clasificada
• Agujero de montaje central aislado
• Transferencia rápida
• Facilidad de ser paralelo a
• Requisitos simples de la impulsión
• Obediente a RoHS 2002/95/EC directivo

Especificaciones

               
Cualidad Valor del atributo
Fabricante IR
Categoría de producto FETs - solos
EmpaquetadoTubo
Unidad-peso1,340411 onzas
Montaje-estilo A través del agujero
Paquete-caso TO-247-3
TecnologíaSi
Número-de-canales 1 canal
Configuración Solo dren dual
Transistor-tipo 1 canal N
Paladio-Poder-disipación520 W
Vgs-Puerta-Fuente-voltaje20 V
Identificación (corriente del dren)290 A
Vds-Dren-Fuente-Avería-voltaje100 V
Rds-En-Dren-Fuente-resistencia 2 mOhms
Transistor-polaridad Canal N
Qg-Puerta-carga360 nC

Descripciones

Canal N 100V 195A (Tc) 520W (Tc) a través del agujero TO-247AC
Tubo del MOSFET N-CH Si 100V 290A 3-Pin (3+Tab) TO-247AC del transporte
MOSFET MOSFT 100V 290A 2.6mOhm 360nC Qg

¿Quién somos?
es una sociedad la comercialización electrónica profesional dedicada totalmente a los campos de los semiconductores y de los componentes electrónicos venta y al servicio para los clientes durante 10 años, se especializa en la venta del nuevo y la fábrica inusitada, original selló componentes electrónicos que embalaban. ¡especialícese en IC, diodo, transistor, IGBT, *** del convertidor de DC-DC ..... ha puesto nuestro propio concepto del servicio de las ventas y ha establecido ya sociedades fuertes con muchos fabricantes famosos y tenemos más de 5.000.000 clases de componentes electrónicos para sus opciones, siempre en sus servicios!
FAQ
Q: ¿Es usted empresa comercial o el fabricante?
: Somos fabricante original OF Integrated Circuit Chip. Podemos hacer negocio de OEM/ODM.
Q: ¿Cuánto tiempo es su plazo de expedición?
: Plazo de expedición de la compra del grupo: 30-60 días; Plazo de expedición general: 20 días.
Q: ¿Cuál es sus términos del pago?
: T/T el 30% como depósito, y el 70% antes de entrega.
Q: ¿Cómo comprar sus productos?
: Usted puede comprar los productos de nuestra compañía directamente. El procedimiento es normalmente muestra el contrato, pago por T/T, entra en contacto con al naviera a la entrega las mercancías a su país.
Q: ¿Cuál es la garantía?
: La garantía libre está a un año a partir del día de Comisión calificado. Si hay cualquier falta para nuestros productos dentro del período de garantía libre, la repararemos y cambiaremos el montaje de la falta gratis.

 
 

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