Mosfet del nivel de la lógica del canal N de SMT del mOhm de la serie 30 V 300 A 0,87 del MOSFET del transistor PSMN0R9 - LFPAK-56
Ficha técnica de PSMN0R9-30YLD
Cualidad | Valor del atributo |
---|---|
Fabricante | Nexperia |
Categoría de producto | FETs - solos |
Ciclo-situación | Producción (pasado actualizado |
Fabricante-Ciclo-situación | LANZADO PARA la FUENTE (pasado actualizado |
Caso-paquete | BORRACHÍN |
Número-de-pernos | 4 |
CONTINUO-DREN-ACTUAL-identificación | 100 A |
Dren-a-Fuente-resistencia | µΩ 650 |
Dren-a-Fuente-voltaje-Vdss | 30 V |
Elemento-configuración | Solo |
Caída-tiempo | 42,6 ns |
Puerta-a-Fuente-voltaje-Vgs | 20 V |
Entrada-capacitancia | 7,668 N-F |
Máximo-Dual-Fuente-voltaje | 30 V |
Máximo-Actuar-temperatura | °C 175 |
Máximo-Poder-disipación | 349 W |
Minuto-Actuar-temperatura | -55 °C |
Número-de-canales | 1 |
Empaquetado | Digi-Reel® |
Rds-En-máximo | µΩ 870 |
Tiempo de formación | 49,8 ns |
Vuelta-Apagado-Retraso-tiempo | 63 ns |
Vuelta-En-Retraso-tiempo | 38,1 ns |
Radiación-endurecimiento | No |
RoHS | Obediente |
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